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Tese (Doutorado)
Estudo e aplicação das propriedades elétricas, térmicas e mecânicas de materiais amorfos piezoresistivos em transdutores de pressão (2009)
Rasia, Luiz Antônio; Mansano, Ronaldo Domingues (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SENSORES ELETROMECÂNICOS, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
RASIA, Luiz Antônio. Estudo e aplicação das propriedades elétricas, térmicas e mecânicas de materiais amorfos piezoresistivos em transdutores de pressão. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29062009-170433/. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Rasia, L. A. (2009). Estudo e aplicação das propriedades elétricas, térmicas e mecânicas de materiais amorfos piezoresistivos em transdutores de pressão (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29062009-170433/
NLM
Rasia LA. Estudo e aplicação das propriedades elétricas, térmicas e mecânicas de materiais amorfos piezoresistivos em transdutores de pressão [Internet]. 2009 ;[citado 2024 ago. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29062009-170433/
Vancouver
Rasia LA. Estudo e aplicação das propriedades elétricas, térmicas e mecânicas de materiais amorfos piezoresistivos em transdutores de pressão [Internet]. 2009 ;[citado 2024 ago. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29062009-170433/
Trabalho de evento
The influence of electrode material on argon plasmas (2001)
Ruas, Ronaldo; Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Braithwaite, S. J.
Source: SBMicro 2001: proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
RUAS, Ronaldo et al. The influence of electrode material on argon plasmas. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Ruas, R., Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Braithwaite, S. J. (2001). The influence of electrode material on argon plasmas. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Ruas R, Mansano RD, Verdonck PB, Braithwaite SJ. The influence of electrode material on argon plasmas. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Ruas R, Mansano RD, Verdonck PB, Braithwaite SJ. The influence of electrode material on argon plasmas. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Trabalho de evento
Optical characterization of an amorphous-hydrogenated carbon film and its application in phase modulated diffractive optical elements (2001)
Cirino, Giuseppe Antonio; Verdonck, Patrick Bernard; Mansano, Ronaldo Domingues ; Gonçalves Neto, Luiz
Source: SBMicro 2001: proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidades: EP, EESC
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
CIRINO, Giuseppe Antonio et al. Optical characterization of an amorphous-hydrogenated carbon film and its application in phase modulated diffractive optical elements. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Cirino, G. A., Verdonck, P. B., Mansano, R. D., & Gonçalves Neto, L. (2001). Optical characterization of an amorphous-hydrogenated carbon film and its application in phase modulated diffractive optical elements. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Cirino GA, Verdonck PB, Mansano RD, Gonçalves Neto L. Optical characterization of an amorphous-hydrogenated carbon film and its application in phase modulated diffractive optical elements. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Cirino GA, Verdonck PB, Mansano RD, Gonçalves Neto L. Optical characterization of an amorphous-hydrogenated carbon film and its application in phase modulated diffractive optical elements. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Trabalho de evento
Fabrication of silicon probes for biosensors (2000)
Fontes, Marcelo Bariatto Andrade; Furlan, Rogério ; Santiago-Avilés, Jorge Juan ; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: SBMicro 2000 : proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
FONTES, Marcelo Bariatto Andrade et al. Fabrication of silicon probes for biosensors. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Fontes, M. B. A., Furlan, R., Santiago-Avilés, J. J., & Mansano, R. D. (2000). Fabrication of silicon probes for biosensors. In SBMicro 2000 : proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Fontes MBA, Furlan R, Santiago-Avilés JJ, Mansano RD. Fabrication of silicon probes for biosensors. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Fontes MBA, Furlan R, Santiago-Avilés JJ, Mansano RD. Fabrication of silicon probes for biosensors. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Trabalho de evento
Characteristics of silicon nitride films deposited by inductively coulped plasma CVD (2000)
Zambom, Luís da Silva ; Mansano, Ronaldo Domingues ; Furlan, Rogério
Source: SBMicro 2000: proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
ZAMBOM, Luís da Silva e MANSANO, Ronaldo Domingues e FURLAN, Rogério. Characteristics of silicon nitride films deposited by inductively coulped plasma CVD. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Zambom, L. da S., Mansano, R. D., & Furlan, R. (2000). Characteristics of silicon nitride films deposited by inductively coulped plasma CVD. In SBMicro 2000: proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Zambom L da S, Mansano RD, Furlan R. Characteristics of silicon nitride films deposited by inductively coulped plasma CVD. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Zambom L da S, Mansano RD, Furlan R. Characteristics of silicon nitride films deposited by inductively coulped plasma CVD. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Relatorio tecnico
Hidrogenated carbon films used as mask in wafer processing with integrated circuits: post-processing (2000)
Jaramillo Ocampo, Juan Manuel; Mansano, Ronaldo Domingues ; Charry Rodriguez, Edgar
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
JARAMILLO OCAMPO, Juan Manuel e MANSANO, Ronaldo Domingues e CHARRY RODRIGUEZ, Edgar. Hidrogenated carbon films used as mask in wafer processing with integrated circuits: post-processing. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 26 ago. 2024. , 2000
APA
Jaramillo Ocampo, J. M., Mansano, R. D., & Charry Rodriguez, E. (2000). Hidrogenated carbon films used as mask in wafer processing with integrated circuits: post-processing. São Paulo: EPUSP.
NLM
Jaramillo Ocampo JM, Mansano RD, Charry Rodriguez E. Hidrogenated carbon films used as mask in wafer processing with integrated circuits: post-processing. 2000 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Jaramillo Ocampo JM, Mansano RD, Charry Rodriguez E. Hidrogenated carbon films used as mask in wafer processing with integrated circuits: post-processing. 2000 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Trabalho de evento
A new mechanism for silicon etching with fluorine based plasmas (2000)
Verdonck, Patrick Bernard; Goodyear, A.; Mansano, Ronaldo Domingues ; Barroy, P.R.J.; Braithwaite, N.St.J.
Source: SBMicro 2000: proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard et al. A new mechanism for silicon etching with fluorine based plasmas. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Verdonck, P. B., Goodyear, A., Mansano, R. D., Barroy, P. R. J., & Braithwaite, N. S. J. (2000). A new mechanism for silicon etching with fluorine based plasmas. In SBMicro 2000: proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Verdonck PB, Goodyear A, Mansano RD, Barroy PRJ, Braithwaite NSJ. A new mechanism for silicon etching with fluorine based plasmas. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Verdonck PB, Goodyear A, Mansano RD, Barroy PRJ, Braithwaite NSJ. A new mechanism for silicon etching with fluorine based plasmas. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Artigo de periodico
Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching process for micromachining applications (1998)
Verdonck, Patrick Bernard; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira
Source: Journal of Solid-State Devices and Circuits. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard et al. Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching process for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits, v. 6, n. 1, p. 1-6, 1998Tradução . . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Verdonck, P. B., Mansano, R. D., Maciel, H. S., & Salvadori, M. C. B. da S. (1998). Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching process for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits, 6( 1), 1-6.
NLM
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS, Salvadori MCB da S. Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching process for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1998 ; 6( 1): 1-6.[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS, Salvadori MCB da S. Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching process for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1998 ; 6( 1): 1-6.[citado 2024 ago. 26 ]
Relatorio tecnico
Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas (1998)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 26 ago. 2024. , 1998
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1998). Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. São Paulo: EPUSP.
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. 1998 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. 1998 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Artigo de periodico
Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode (1998)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Source: Sensors and Actuators A. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode. Sensors and Actuators A, v. 65, n. 2-3, p. 180-186, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1998). Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode. Sensors and Actuators A, 65( 2-3), 180-186. doi:10.1016/s0924-4247(97)01681-6
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode [Internet]. Sensors and Actuators A. 1998 ; 65( 2-3): 180-186.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode [Internet]. Sensors and Actuators A. 1998 ; 65( 2-3): 180-186.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6
Trabalho de evento
Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes (1998)
Simões, Eliphas Wagner; Mansano, Ronaldo Domingues ; Furlan, Rogério ; Verdonck, Patrick Bernard
Source: XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIMÕES, Eliphas Wagner et al. Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. 1998, Anais.. Curitiba: s. ed, 1998. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Simões, E. W., Mansano, R. D., Furlan, R., & Verdonck, P. B. (1998). Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. In XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. Curitiba: s. ed.
NLM
Simões EW, Mansano RD, Furlan R, Verdonck PB. Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Simões EW, Mansano RD, Furlan R, Verdonck PB. Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Trabalho de evento
Silicon wall profiles generated by isotropic dry etching process (1997)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Source: CIP'97 : proceedings. Conference titles: International Colloquium on Plasma Processes. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Silicon wall profiles generated by isotropic dry etching process. 1997, Anais.. Paris: Société Française du Vide, 1997. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1997). Silicon wall profiles generated by isotropic dry etching process. In CIP'97 : proceedings. Paris: Société Française du Vide.
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Silicon wall profiles generated by isotropic dry etching process. CIP'97 : proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Silicon wall profiles generated by isotropic dry etching process. CIP'97 : proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Trabalho de evento
Characteristic of silicon etching process in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom) (1997)
Massi, Marcos; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago; Verdonck, Patrick Bernard
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
MASSI, Marcos et al. Characteristic of silicon etching process in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Massi, M., Mansano, R. D., Maciel, H. S., & Verdonck, P. B. (1997). Characteristic of silicon etching process in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Massi M, Mansano RD, Maciel HS, Verdonck PB. Characteristic of silicon etching process in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Massi M, Mansano RD, Maciel HS, Verdonck PB. Characteristic of silicon etching process in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Trabalho de evento
Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom) (1997)
Verdonck, Patrick Bernard; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard e MANSANO, Ronaldo Domingues e MACIEL, Homero Santiago. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Verdonck, P. B., Mansano, R. D., & Maciel, H. S. (1997). Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Artigo de periodico
Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas (1997)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Source: Vaccum. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. Vaccum, v. 48, n. 7-9, p. 677-679, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(97)00067-5. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1997). Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. Vaccum, 48( 7-9), 677-679. doi:10.1016/s0042-207x(97)00067-5
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas [Internet]. Vaccum. 1997 ; 48( 7-9): 677-679.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(97)00067-5
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas [Internet]. Vaccum. 1997 ; 48( 7-9): 677-679.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(97)00067-5
Artigo de periodico
Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas (1996)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, H. S.
Source: Applied Surface Science. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, H. S. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. Applied Surface Science, v. 100-1, p. 583-6, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0169-4332(96)00343-1. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1996). Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. Applied Surface Science, 100-1, 583-6. doi:10.1016/0169-4332(96)00343-1
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas [Internet]. Applied Surface Science. 1996 ;100-1 583-6.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0169-4332(96)00343-1
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas [Internet]. Applied Surface Science. 1996 ;100-1 583-6.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0169-4332(96)00343-1
Trabalho de evento-resumo
Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas (1996)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, H. S.
Source: Abstracts Book. Conference titles: International Conference on Thin Films. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, H. S. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. 1996, Anais.. Madrid: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 1996. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1996). Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. In Abstracts Book. Madrid: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. Abstracts Book. 1996 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. Abstracts Book. 1996 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Trabalho de evento
Development and characterization of 'SI IND.3''N IND.4' plasma etching processes (1995)
Dietrich, Alvaro Batista; Verdonck, Patrick Bernard; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: Proceedings. Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIETRICH, Alvaro Batista e VERDONCK, Patrick Bernard e MANSANO, Ronaldo Domingues. Development and characterization of 'SI IND.3''N IND.4' plasma etching processes. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Dietrich, A. B., Verdonck, P. B., & Mansano, R. D. (1995). Development and characterization of 'SI IND.3''N IND.4' plasma etching processes. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Dietrich AB, Verdonck PB, Mansano RD. Development and characterization of 'SI IND.3''N IND.4' plasma etching processes. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Dietrich AB, Verdonck PB, Mansano RD. Development and characterization of 'SI IND.3''N IND.4' plasma etching processes. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Trabalho de evento
Dry etching of resist for three level resist process using statistical design of experiments (1995)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, H. S.
Source: Proceedings. Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, H. S. Dry etching of resist for three level resist process using statistical design of experiments. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1995). Dry etching of resist for three level resist process using statistical design of experiments. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Dry etching of resist for three level resist process using statistical design of experiments. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Dry etching of resist for three level resist process using statistical design of experiments. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Relatorio tecnico
Modelamento da corrosao de resiste por plasma usando o metodo de superficie de resposta (1995)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, H. S.
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e MACIEL, H. S. Modelamento da corrosao de resiste por plasma usando o metodo de superficie de resposta. . São Paulo: Epusp. . Acesso em: 26 ago. 2024. , 1995
APA
Mansano, R. D., & Maciel, H. S. (1995). Modelamento da corrosao de resiste por plasma usando o metodo de superficie de resposta. São Paulo: Epusp.
NLM
Mansano RD, Maciel HS. Modelamento da corrosao de resiste por plasma usando o metodo de superficie de resposta. 1995 ;[citado 2024 ago. 26 ]
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Mansano RD, Maciel HS. Modelamento da corrosao de resiste por plasma usando o metodo de superficie de resposta. 1995 ;[citado 2024 ago. 26 ]

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