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Trabalho de evento
Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom) (1997)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Trabalho de evento
Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom) (1997)
Lopes, M C V; Gejuiba, N; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
LOPES, M C V et al. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Lopes, M. C. V., Gejuiba, N., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Tese (Doutorado)
Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS (1997)
Cardoso, Alvaro Romanelli; Hasenack, Claus Martin (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, PLASMA, SILÍCIO
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ABNT
CARDOSO, Alvaro Romanelli. Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS. 1997. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-114955/pt-br.php. Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Cardoso, A. R. (1997). Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-114955/pt-br.php
NLM
Cardoso AR. Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS [Internet]. 1997 ;[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-114955/pt-br.php
Vancouver
Cardoso AR. Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS [Internet]. 1997 ;[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-114955/pt-br.php
Artigo de periodico
Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS (1997)
Cardoso, Alvaro Romanelli; Hasenack, Claus Martin
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
CARDOSO, Alvaro Romanelli e HASENACK, Claus Martin. Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS. 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf. Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Cardoso, A. R., & Hasenack, C. M. (1997). Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf
NLM
Cardoso AR, Hasenack CM. Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS [Internet]. 1997 ;[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf
Vancouver
Cardoso AR, Hasenack CM. Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS [Internet]. 1997 ;[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf
Artigo de periodico
Metal contamination of silicon wafers induced by reactive ion etching plasmas and its behavior upon subsequent cleaning procedures (1996)
Verdonck, Patrick Bernard; Hasenack, Claus Martin; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: Journal of Vacuum Science and Technology B. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard e HASENACK, Claus Martin e MANSANO, Ronaldo Domingues. Metal contamination of silicon wafers induced by reactive ion etching plasmas and its behavior upon subsequent cleaning procedures. Journal of Vacuum Science and Technology B, v. 14, n. 1 , p. 538-42, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1116/1.588426. Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Verdonck, P. B., Hasenack, C. M., & Mansano, R. D. (1996). Metal contamination of silicon wafers induced by reactive ion etching plasmas and its behavior upon subsequent cleaning procedures. Journal of Vacuum Science and Technology B, 14( 1 ), 538-42. doi:10.1116/1.588426
NLM
Verdonck PB, Hasenack CM, Mansano RD. Metal contamination of silicon wafers induced by reactive ion etching plasmas and its behavior upon subsequent cleaning procedures [Internet]. Journal of Vacuum Science and Technology B. 1996 ;14( 1 ): 538-42.[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.588426
Vancouver
Verdonck PB, Hasenack CM, Mansano RD. Metal contamination of silicon wafers induced by reactive ion etching plasmas and its behavior upon subsequent cleaning procedures [Internet]. Journal of Vacuum Science and Technology B. 1996 ;14( 1 ): 538-42.[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.588426
Trabalho de evento
Electroless mechanism of 'CU' plating onto 'SI' during hf-last cleanings (1996)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Electroless mechanism of 'CU' plating onto 'SI' during hf-last cleanings. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1996). Electroless mechanism of 'CU' plating onto 'SI' during hf-last cleanings. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Electroless mechanism of 'CU' plating onto 'SI' during hf-last cleanings. Proceedings. 1996 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Electroless mechanism of 'CU' plating onto 'SI' during hf-last cleanings. Proceedings. 1996 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Tese (Doutorado)
Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS (1996)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS. 1996. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-121813/pt-br.php. Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Santos Filho, S. G. dos. (1996). Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-121813/pt-br.php
NLM
Santos Filho SG dos. Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS [Internet]. 1996 ;[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-121813/pt-br.php
Vancouver
Santos Filho SG dos. Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS [Internet]. 1996 ;[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-121813/pt-br.php
Artigo de periodico
'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness (1996)
Lopes, M C V; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Source: Journal of the Electrochemical Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V et al. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society, v. 143, n. 3 , p. 1021-5, 1996Tradução . . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1996). 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society, 143( 3 ), 1021-5.
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society. 1996 ;143( 3 ): 1021-5.[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society. 1996 ;143( 3 ): 1021-5.[citado 2026 jan. 06 ]
Trabalho de evento
Influence of different rapid thermal oxidation recipes on the rms roughness of the 'SI'-'SI''O IND.2' interface (1996)
Souza Filho, J C; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA FILHO, J C e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Influence of different rapid thermal oxidation recipes on the rms roughness of the 'SI'-'SI''O IND.2' interface. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Souza Filho, J. C., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1996). Influence of different rapid thermal oxidation recipes on the rms roughness of the 'SI'-'SI''O IND.2' interface. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Influence of different rapid thermal oxidation recipes on the rms roughness of the 'SI'-'SI''O IND.2' interface. Proceedings. 1996 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Influence of different rapid thermal oxidation recipes on the rms roughness of the 'SI'-'SI''O IND.2' interface. Proceedings. 1996 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Artigo de periodico
Achievement of high quality thin gates oxides grown by rapid thermal oxidation of silicon (1995)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Journal of Solid-State Devices and Circuits. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Achievement of high quality thin gates oxides grown by rapid thermal oxidation of silicon. Journal of Solid-State Devices and Circuits, v. 3 , n. 1 , p. 1-9, 1995Tradução . . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1995). Achievement of high quality thin gates oxides grown by rapid thermal oxidation of silicon. Journal of Solid-State Devices and Circuits, 3 ( 1 ), 1-9.
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Achievement of high quality thin gates oxides grown by rapid thermal oxidation of silicon. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1995 ;3 ( 1 ): 1-9.[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Achievement of high quality thin gates oxides grown by rapid thermal oxidation of silicon. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1995 ;3 ( 1 ): 1-9.[citado 2026 jan. 06 ]
Trabalho de evento
Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness (1995)
Lopes, M C V; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Source: Proceedings. Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V et al. Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1995). Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. Proceedings. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness. Proceedings. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Artigo de periodico
A less critical cleaning procedure for silicon wafers using diluted hf dip and boiling in isopropil alcohol as final steps (1995)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Salay, Luiz Carlos; Mertens, Paul
Source: Journal of the Electrochemical Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos et al. A less critical cleaning procedure for silicon wafers using diluted hf dip and boiling in isopropil alcohol as final steps. Journal of the Electrochemical Society, v. 142, n. 3 , p. 902-7, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.2048555. Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., Salay, L. C., & Mertens, P. (1995). A less critical cleaning procedure for silicon wafers using diluted hf dip and boiling in isopropil alcohol as final steps. Journal of the Electrochemical Society, 142( 3 ), 902-7. doi:10.1149/1.2048555
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Salay LC, Mertens P. A less critical cleaning procedure for silicon wafers using diluted hf dip and boiling in isopropil alcohol as final steps [Internet]. Journal of the Electrochemical Society. 1995 ;142( 3 ): 902-7.[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2048555
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Salay LC, Mertens P. A less critical cleaning procedure for silicon wafers using diluted hf dip and boiling in isopropil alcohol as final steps [Internet]. Journal of the Electrochemical Society. 1995 ;142( 3 ): 902-7.[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2048555
Trabalho de evento-resumo
Electrodeposition of Fe thin films (1995)
Martins, L F O; Paes Junior, H R; Hasenack, Claus Martin; Oliveira, L S; Pasa, A A
Conference titles: Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINS, L F O et al. Electrodeposition of Fe thin films. 1995, Anais.. Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Martins, L. F. O., Paes Junior, H. R., Hasenack, C. M., Oliveira, L. S., & Pasa, A. A. (1995). Electrodeposition of Fe thin films. In . Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Martins LFO, Paes Junior HR, Hasenack CM, Oliveira LS, Pasa AA. Electrodeposition of Fe thin films. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Martins LFO, Paes Junior HR, Hasenack CM, Oliveira LS, Pasa AA. Electrodeposition of Fe thin films. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Relatorio tecnico
Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd (1995)
Zambom, Luís da Silva ; Hasenack, Claus Martin
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZAMBOM, Luís da Silva e HASENACK, Claus Martin. Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd. . São Paulo: Epusp. . Acesso em: 06 jan. 2026. , 1995
APA
Zambom, L. da S., & Hasenack, C. M. (1995). Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd. São Paulo: Epusp.
NLM
Zambom L da S, Hasenack CM. Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Zambom L da S, Hasenack CM. Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo do processo de calibracao de temperatura de um forno de processamento termico rapido (1995)
Pires, M O C; Hasenack, Claus Martin
Source: Resumos. Conference titles: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIRES, M O C e HASENACK, Claus Martin. Estudo do processo de calibracao de temperatura de um forno de processamento termico rapido. 1995, Anais.. São Paulo: Usp, 1995. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Pires, M. O. C., & Hasenack, C. M. (1995). Estudo do processo de calibracao de temperatura de um forno de processamento termico rapido. In Resumos. São Paulo: Usp.
NLM
Pires MOC, Hasenack CM. Estudo do processo de calibracao de temperatura de um forno de processamento termico rapido. Resumos. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Pires MOC, Hasenack CM. Estudo do processo de calibracao de temperatura de um forno de processamento termico rapido. Resumos. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Medida da rugosidade superficial por espalhamento de luz de laminas de silicio apos diferentes processos de oxidacao termica (1995)
Souza Filho, J C; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Resumos. Conference titles: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA FILHO, J C e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Medida da rugosidade superficial por espalhamento de luz de laminas de silicio apos diferentes processos de oxidacao termica. 1995, Anais.. São Paulo: Usp, 1995. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Souza Filho, J. C., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1995). Medida da rugosidade superficial por espalhamento de luz de laminas de silicio apos diferentes processos de oxidacao termica. In Resumos. São Paulo: Usp.
NLM
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Medida da rugosidade superficial por espalhamento de luz de laminas de silicio apos diferentes processos de oxidacao termica. Resumos. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Medida da rugosidade superficial por espalhamento de luz de laminas de silicio apos diferentes processos de oxidacao termica. Resumos. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio (1995)
Araes, L G; Hasenack, Claus Martin
Source: Resumos. Conference titles: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAES, L G e HASENACK, Claus Martin. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. 1995, Anais.. São Paulo: USP, 1995. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Araes, L. G., & Hasenack, C. M. (1995). Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. In Resumos. São Paulo: USP.
NLM
Araes LG, Hasenack CM. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. Resumos. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Araes LG, Hasenack CM. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. Resumos. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Si/SiO2 electronic roughness: a consequence of Si/SiO2 interface roughness (1995)
Lopes, M C V; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Conference titles: Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V et al. Si/SiO2 electronic roughness: a consequence of Si/SiO2 interface roughness. 1995, Anais.. Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1995). Si/SiO2 electronic roughness: a consequence of Si/SiO2 interface roughness. In . Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. Si/SiO2 electronic roughness: a consequence of Si/SiO2 interface roughness. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. Si/SiO2 electronic roughness: a consequence of Si/SiO2 interface roughness. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Trabalho de evento
Plating mechanisms of cooper onto silicon surfaces diluted hydrofluoric solutions (1995)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Proceedings. Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Plating mechanisms of cooper onto silicon surfaces diluted hydrofluoric solutions. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1995). Plating mechanisms of cooper onto silicon surfaces diluted hydrofluoric solutions. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Plating mechanisms of cooper onto silicon surfaces diluted hydrofluoric solutions. Proceedings. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
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Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Plating mechanisms of cooper onto silicon surfaces diluted hydrofluoric solutions. Proceedings. 1995 ;[citado 2026 jan. 06 ]
Artigo de periodico
Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics (1995)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Lopes, M C V; Baranauskas, V
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos et al. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 10, n. 7 , p. 990-6, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015. Acesso em: 06 jan. 2026.
APA
Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., Lopes, M. C. V., & Baranauskas, V. (1995). Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics. Semiconductor Science and Technology, 10( 7 ), 990-6. doi:10.1088/0268-1242/10/7/015
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Lopes MCV, Baranauskas V. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1995 ;10( 7 ): 990-6.[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Lopes MCV, Baranauskas V. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1995 ;10( 7 ): 990-6.[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015

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