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Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS (1997)

  • Authors:
  • Autor USP: CARDOSO, ALVARO ROMANELLI - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PEE
  • Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Para a implementação de circuitos integrados de integração muito ampla, a utilização de tecnologia de interconexão do tipo multiníveis se faz necessária. A isolação elétrica entre os diversos níveis e obtida tipicamente pelo uso de 'SI''O IND.2' que, neste caso, é depositado tipicamente por técnicas de CVD (Chemical Vapor Deposition). Em se utilizando linhas de interconexão de alumínio, a temperatura de deposição não deve exceder cerca de 400°C. Para esta temperatura, as técnicas relativamente comuns APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) e LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) não são indicadas, razão pela qual se utiliza técnica PECVD. Como reagente típico para a obtenção de 'SI''O IND.2' por reação com 'O IND.2', encontra-se tipicamente a silana ('SI''H IND.4') a qual traz como desvantagem o fato de ser de elevada periculosidade, além de apresentar limitações quanto ao grau de cobertura ou de preenchimento de trincheiras. Estas são minimizadas pela substituição da silana por TEOS (Tetra-Etil-Orto-Silicato). Implicito está que o dielétrico assim obtido deve apresentar características elétricas de isolação adequadas, além de ser estável a tratamentos de densificação (geralmente realizados quando da obtenção de 'SI''O IND.2' por processos de deposição) a fim de melhorar de forma geral suas características.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 18.03.1997

  • How to cite
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    • ABNT

      CARDOSO, Alvaro Romanelli; HASENACK, Claus Martin. Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS. 1997.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997.
    • APA

      Cardoso, A. R., & Hasenack, C. M. (1997). Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Cardoso AR, Hasenack CM. Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS. 1997 ;
    • Vancouver

      Cardoso AR, Hasenack CM. Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS. 1997 ;

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