Medida da rugosidade superficial por espalhamento de luz de laminas de silicio apos diferentes processos de oxidacao termica (1995)
- Authors:
- USP affiliated authors: SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP ; HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo
-
ABNT
SOUZA FILHO, J C e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Medida da rugosidade superficial por espalhamento de luz de laminas de silicio apos diferentes processos de oxidacao termica. 1995, Anais.. São Paulo: Usp, 1995. . Acesso em: 09 jan. 2026. -
APA
Souza Filho, J. C., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1995). Medida da rugosidade superficial por espalhamento de luz de laminas de silicio apos diferentes processos de oxidacao termica. In Resumos. São Paulo: Usp. -
NLM
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Medida da rugosidade superficial por espalhamento de luz de laminas de silicio apos diferentes processos de oxidacao termica. Resumos. 1995 ;[citado 2026 jan. 09 ] -
Vancouver
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Medida da rugosidade superficial por espalhamento de luz de laminas de silicio apos diferentes processos de oxidacao termica. Resumos. 1995 ;[citado 2026 jan. 09 ] - 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness
- Plating mechanisms of cooper onto silicon surfaces diluted hydrofluoric solutions
- Construcao e caracterizacao inicial de um medidor de rugosidade quimica de superficies de silicio empregando espalhamento espectral de luz
- Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics
- Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom)
- Influence of different rapid thermal oxidation recipes on the rms roughness of the 'SI'-'SI''O IND.2' interface
- Effect of the temperature cooling rate on the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness after rapid thermal oxidation
- Medida da rugosidade superficial de laminas de silicio empregando a tecnica de espalhamento elastico de luz laser hene
- Achievement of high quality thin gates oxides grown by rapid thermal oxidation of silicon
- Deposition and renoval of surface contaminants from silicon wafers by means of a diluted hp dip followed or not by a isopropyl alcohol boil
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
