'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: SANTOS FILHO, SEBASTIÃO GOMES DOS - EP ; HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.1836575
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 1996
- Source:
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 143, n. 3 , p.1021-1025, mar. 1996
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
LOPES, M C V et al. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. v. 143, n. 3 , p. 1021-1025, 1996Tradução . . Acesso em: 17 mar. 2026. -
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1996). 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness, 143( 3 ), 1021-1025. doi:10.1149/1.1836575 -
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. 1996 ; 143( 3 ): 1021-1025.[citado 2026 mar. 17 ] -
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. 1996 ; 143( 3 ): 1021-1025.[citado 2026 mar. 17 ] - Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom)
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