Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics (1995)
- Authors:
- USP affiliated authors: SANTOS FILHO, SEBASTIÃO GOMES DOS - EP ; HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1088/0268-1242/10/7/015
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Semiconductor Science and Technology
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 10, n. 7 , p. 990-996, jul. 1995
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos et al. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 10, n. 7 , p. 990-996, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015. Acesso em: 17 mar. 2026. -
APA
Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., Lopes, M. C. V., & Baranauskas, V. (1995). Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics. Semiconductor Science and Technology, 10( 7 ), 990-996. doi:10.1088/0268-1242/10/7/015 -
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Lopes MCV, Baranauskas V. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1995 ; 10( 7 ): 990-996.[citado 2026 mar. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015 -
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Lopes MCV, Baranauskas V. Rapid thermal oxidation of silicon with different thermal annealing cycles in nitrogen: influence on surface microroughness and electrical characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1995 ; 10( 7 ): 990-996.[citado 2026 mar. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/7/015 - Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom)
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