Si/SiO2 electronic roughness: a consequence of Si/SiO2 interface roughness (1995)
- Authors:
- USP affiliated authors: SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP ; HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1995
- Conference titles: Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science
-
ABNT
LOPES, M C V et al. Si/SiO2 electronic roughness: a consequence of Si/SiO2 interface roughness. 1995, Anais.. Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 12 jan. 2026. -
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1995). Si/SiO2 electronic roughness: a consequence of Si/SiO2 interface roughness. In . Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. -
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. Si/SiO2 electronic roughness: a consequence of Si/SiO2 interface roughness. 1995 ;[citado 2026 jan. 12 ] -
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. Si/SiO2 electronic roughness: a consequence of Si/SiO2 interface roughness. 1995 ;[citado 2026 jan. 12 ] - Plating mechanisms of cooper onto silicon surfaces diluted hydrofluoric solutions
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