Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS (1996)
- Authors:
- Autor USP: SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho obtivemos óxidos de porta de alta qualidade crescidos por oxidação térmica rápida (RTO: Rapid Thermal Oxidation). Diversos tópicos foram abordados tendo em vista alcançar o critério de alta qualidade, ou seja, baixas concentrações de contaminação por cargas elétricas e alto campo de ruptura da rigidez dielétrica (13mv/cm) para os óxidos crescidos. Em primeiro lugar foi estudada a influência de diversos procedimentos de limpeza química pré-oxidação nas concentrações superficiais de metais e partículas em lâminas de silício. Em segundo lugar, como resultado do estudo destes procedimentos de limpeza pré-oxidação, elaboramos um modelo eletroquímico alternativo, útil na previsão de contaminação em superfícies de lâminas de silício durante a imersão rápida em solução d-hf contaminada com diferentes sulfatos metálicos. Em terceiro lugar, investigamos a uniformidade, a reprodutibilidade e a cinética dos óxidos crescidos por oxidação térmica rápida. Finalmente, analisamos a influência de diferentes receitas de oxidação térmica rápida (perfis temporais de temperatura) na rugosidade da interface 'Si'-'Si''O IND.2' e da superfície dos óxidos e também nas características elétricas destes óxidos obtidos.
- Imprenta:
- Data da defesa: 08.10.1996
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ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS. 1996. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-121813/pt-br.php. Acesso em: 05 maio 2025. -
APA
Santos Filho, S. G. dos. (1996). Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-121813/pt-br.php -
NLM
Santos Filho SG dos. Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS [Internet]. 1996 ;[citado 2025 maio 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-121813/pt-br.php -
Vancouver
Santos Filho SG dos. Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS [Internet]. 1996 ;[citado 2025 maio 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-121813/pt-br.php - Formation and stability of Ni(Pt)Si/Poly-Si layered structure
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