Tese

Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS (1988)

• Authors:
  • Santos Filho, Sebastião Gomes dos
  • Swart, Jacobus Willibrordus (Orientador)
• Autor USP: SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP
• Unidade: EP
• Sigla do Departamento: PEL
• Subjects: SILÍCIO; FILMES FINOS
• Language: Português
• Abstract: Neste trabalho, apresentamos um estudo da aplicação de filmes de siliceto de titânio na fabricação de transistores nMOS e de linhas de interconexão. Também, apresentamos um estudo experimental da densificação e do escoamento de camadas de PSG (Phosphosilicate Glasa) por processamento térmico rápido (RTP) para a fabricação de circuitos integrados nMOS. Dentro destes temas, enfocamos os seguintes tópicos: A) modelamento e medida experimental do atraso RC em linhas de interconexão de silício policristalino e policeto de titânio. B) densificação e escoamento de camadas de PSG por RTP. Nesta etapa, determinamos as condições de processamento térmico rápido a fim de atingir o ângulo de escoamento desejado ( 0 ≤ 75°). Aplicando o modelo de Mullins aos nossos resultados de escoamento realizado em vácuo e aos resultados de Hara sobre o escoamento realizado num sistema de tubo aberto, concluímos que as camadas de PSG escoadas num sistema de tubo aberto tem o mecanismo de escoamento viscoso enriquecido. Este fato indica que a pressão tem um efeito benéfico no escoamento de camadas de PSG. C) projeto das sequências de processo visando inserir as etapas de formação de siliceto e de densificação das camadas de PSG. Desenvolvemos três tipos de estruturas: SALICIDE, STALICIDE e CONVENCIONAL. D) Projeto da pastilha-teste composta de: capacitores, diodos, transistores, linhas de interconexão, estruturas Van der Pauw + Kelvin, oscilador em anel com 23 estágios e o circuito CIMAT-RC. E) medidas experimentais nos dispositivos fabricados dos quais os principais resultados são: 1) processoSALICIDE - o desempenho estático dos transistores grandes resultou semelhante ao dos transistores convencionais; - baixa densidade de corrente reserva das junções N+P silicetadas (A1/TiSi2/N+): 4 nA/cm2; - baixa resistência de folha das junções N+P silicetadas 3,4 Ω/0; - baixa resistência de folha da camada de policeto de titânio: 4,0 Ω/0. 2) Processo STALICIDE – a tensão de limiar e a corrente de sublimiar nos transistores pequenos apresentou um comportamento anômalo devido aos aumento da densidade de estados de interface induzidos pelo esforço (stress) sob a borda da camada de policeto de titânio; - alta densidade de corrente reversa nas junções N+P não silicitadas: 16 µA/cm2 ; - baixa resistência de folha do filme de policeto de titânio logo após a sua formação: 4,0 Ω/0. Os resultados obtidos na pastilha-teste comprovaram a viabilidade da etapa de formação de siliceto dentro de um processo nMOS convencional, sem aumentar o número de máscaras. Neste caso, os dispositivos nMOS silicetos apresentaram características elétricas iguais ou melhores comparados aos dispositivos convencionais.
• Imprenta:
  • Publisher place: São Paulo
  • Date published: 1988
• Data da defesa: 16.05.1988

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How to cite

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• ABNT

  SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 18 jan. 2026.

• APA

  Santos Filho, S. G. dos. (1988). Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

• NLM

  Santos Filho SG dos. Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS. 1988 ;[citado 2026 jan. 18 ]

• Vancouver

  Santos Filho SG dos. Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS. 1988 ;[citado 2026 jan. 18 ]

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