Partial dielectric breakdown in MOS gate oxide grown by RTO (2000)
- Authors:
- Autor USP: SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP
- Publisher place: Manaus
- Date published: 2000
- Source:
- Título do periódico: SBMicro 2000: proceedings
- Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging
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ABNT
NOGUEIRA, Willian Aurélio; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Partial dielectric breakdown in MOS gate oxide grown by RTO. Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. -
APA
Nogueira, W. A., & Santos Filho, S. G. dos. (2000). Partial dielectric breakdown in MOS gate oxide grown by RTO. In SBMicro 2000: proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP. -
NLM
Nogueira WA, Santos Filho SG dos. Partial dielectric breakdown in MOS gate oxide grown by RTO. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ; -
Vancouver
Nogueira WA, Santos Filho SG dos. Partial dielectric breakdown in MOS gate oxide grown by RTO. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ; - Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais
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