Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd (1995)
- Authors:
- USP affiliated authors: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP ; ZAMBOM, LUIS DA SILVA - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Abstract: Filmes de nitreto de silicio foramdepositados por LPCVD (deposição quimica por vapor à pressão reduzida), pela reaçõa química entre diclorosilana e amônia, em temperatiras de 700 - 800 °C. Independentemente da proporção gasosa, a concentração total de hidrogêneo (na forma de ligações Si-H e N-H) foi inferior a 5. 10 ²¹ cm³. A tensão total em todos os filmes era trtaciva e, no caso do filme estequiométrico, o valor foi inferior a 2. 10¹º dinas/cm². Todos os filmes obtidos com espessura superior a 2000. A apresentavam rachaduras e as respectivas lâminas de silicio apresentavam discordâncias, devido á tensão interfacial Si/Si³N4. A presença de um filme contínuo de oxído de silício entre a lâmina de silicio e o filme de nitreto de silício mostrou ser um elemento de importância para suprimir a geração destes defeitos.
- Imprenta:
- Source:
- Título: Boletim Tecnico da Escola Politecnica da Usp. Departamento de Engenharia Metalurgica e de Materiais
- Volume/Número/Paginação/Ano: n. 007, 1995
-
ABNT
ZAMBOM, Luís da Silva e HASENACK, Claus Martin. Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd. Boletim Tecnico da Escola Politecnica da Usp. Departamento de Engenharia Metalurgica e de Materiais, n. 007, 1995Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/50101d73-6a71-43f0-a9ba-79aafe861c3c/BT-PM7-9407_260130_114149.pdf. Acesso em: 17 mar. 2026. -
APA
Zambom, L. da S., & Hasenack, C. M. (1995). Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd. Boletim Tecnico da Escola Politecnica da Usp. Departamento de Engenharia Metalurgica e de Materiais, ( 007). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/50101d73-6a71-43f0-a9ba-79aafe861c3c/BT-PM7-9407_260130_114149.pdf -
NLM
Zambom L da S, Hasenack CM. Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd [Internet]. Boletim Tecnico da Escola Politecnica da Usp. Departamento de Engenharia Metalurgica e de Materiais. 1995 ;( 007):[citado 2026 mar. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/50101d73-6a71-43f0-a9ba-79aafe861c3c/BT-PM7-9407_260130_114149.pdf -
Vancouver
Zambom L da S, Hasenack CM. Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd [Internet]. Boletim Tecnico da Escola Politecnica da Usp. Departamento de Engenharia Metalurgica e de Materiais. 1995 ;( 007):[citado 2026 mar. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/50101d73-6a71-43f0-a9ba-79aafe861c3c/BT-PM7-9407_260130_114149.pdf - Deposição de nitreto de silício por LPCVD
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BT-PM7-9407_260130_114149... | Direct link |
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