Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas (1991)
- Authors:
- Autor USP: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Resumo das Comunicacoes
- Conference titles: Coloquio da Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica
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ABNT
SANTOS, J T e HASENACK, Claus Martin e MONTEIRO, Waldemar Alfredo. Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. 1991, Anais.. São Paulo: Sbme, 1991. . Acesso em: 18 mar. 2026. -
APA
Santos, J. T., Hasenack, C. M., & Monteiro, W. A. (1991). Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. In Resumo das Comunicacoes. São Paulo: Sbme. -
NLM
Santos JT, Hasenack CM, Monteiro WA. Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. Resumo das Comunicacoes. 1991 ;[citado 2026 mar. 18 ] -
Vancouver
Santos JT, Hasenack CM, Monteiro WA. Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. Resumo das Comunicacoes. 1991 ;[citado 2026 mar. 18 ] - Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth
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