Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas (1991)
- Authors:
- Autor USP: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumo das Comunicacoes
- Conference titles: Coloquio da Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica
-
ABNT
SANTOS, J T e HASENACK, Claus Martin e MONTEIRO, Waldemar Alfredo. Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. 1991, Anais.. São Paulo: Sbme, 1991. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Santos, J. T., Hasenack, C. M., & Monteiro, W. A. (1991). Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. In Resumo das Comunicacoes. São Paulo: Sbme. -
NLM
Santos JT, Hasenack CM, Monteiro WA. Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. Resumo das Comunicacoes. 1991 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Santos JT, Hasenack CM, Monteiro WA. Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. Resumo das Comunicacoes. 1991 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS
- Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides
- Electrodeposition of 'FE' thin films
- 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities: their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides
- Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos
- Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth
- Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa
- Trxfa: uma tecnica de analise somente para microeletronica
- Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd
- Estudo da influencia do ambiente no processo de silicetacao do titanio realizado em fornos de rtp
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas