Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa (1994)
- Authors:
- Autor USP: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Ufrj
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1994
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
LEITE, N G e HASENACK, Claus Martin. Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 17 mar. 2026. -
APA
Leite, N. G., & Hasenack, C. M. (1994). Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj. -
NLM
Leite NG, Hasenack CM. Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa. Anais. 1994 ;[citado 2026 mar. 17 ] -
Vancouver
Leite NG, Hasenack CM. Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa. Anais. 1994 ;[citado 2026 mar. 17 ] - Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth
- Estudo do processo de calibracao de temperatura de um forno de processamento termico rapido
- Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas
- Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides
- Trxfa: uma tecnica de analise somente para microeletronica
- 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities: their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides
- Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos
- Electrodeposition of Fe thin films
- Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio
- Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas