Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos (1993)
- Authors:
- Autor USP: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CAPACITORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
LOPES, M C V e HASENACK, Claus Martin e BARANAUSKAS, V. Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 17 mar. 2026. -
APA
Lopes, M. C. V., Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1993). Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos. In Anais. Campinas: Sbmicro. -
NLM
Lopes MCV, Hasenack CM, Baranauskas V. Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos. Anais. 1993 ;[citado 2026 mar. 17 ] -
Vancouver
Lopes MCV, Hasenack CM, Baranauskas V. Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos. Anais. 1993 ;[citado 2026 mar. 17 ] - Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth
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