Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth (1990)
- Authors:
- Autor USP: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Spie
- Publisher place: Campinas
- Date published: 1990
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
HASENACK, Claus Martin e HEYNS, M. Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth. 1990, Anais.. Campinas: Sbmicro/Spie, 1990. . Acesso em: 17 mar. 2026. -
APA
Hasenack, C. M., & Heyns, M. (1990). Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth. In Anais. Campinas: Sbmicro/Spie. -
NLM
Hasenack CM, Heyns M. Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth. Anais. 1990 ;[citado 2026 mar. 17 ] -
Vancouver
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