Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth (1990)
- Autores:
- Autor USP: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Sbmicro/Spie
- Local: Campinas
- Data de publicação: 1990
- Fonte:
- Título do periódico: Anais
- Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
HASENACK, Claus Martin e HEYNS, M. Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth. 1990, Anais.. Campinas: Sbmicro/Spie, 1990. . Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Hasenack, C. M., & Heyns, M. (1990). Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth. In Anais. Campinas: Sbmicro/Spie. -
NLM
Hasenack CM, Heyns M. Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth. Anais. 1990 ;[citado 2024 abr. 26 ] -
Vancouver
Hasenack CM, Heyns M. Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth. Anais. 1990 ;[citado 2024 abr. 26 ] - Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas
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