Estudo da influencia do ambiente no processo de silicetacao do titanio realizado em fornos de rtp (1992)
- Authors:
- USP affiliated authors: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP ; COSTA, YAN PRUCHA VIEIRA DA - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Epusp
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1992
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
COSTA, Yan Prucha Vieira da e HASENACK, Claus Martin. Estudo da influencia do ambiente no processo de silicetacao do titanio realizado em fornos de rtp. 1992, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1992. . Acesso em: 17 mar. 2026. -
APA
Costa, Y. P. V. da, & Hasenack, C. M. (1992). Estudo da influencia do ambiente no processo de silicetacao do titanio realizado em fornos de rtp. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp. -
NLM
Costa YPV da, Hasenack CM. Estudo da influencia do ambiente no processo de silicetacao do titanio realizado em fornos de rtp. Anais. 1992 ;[citado 2026 mar. 17 ] -
Vancouver
Costa YPV da, Hasenack CM. Estudo da influencia do ambiente no processo de silicetacao do titanio realizado em fornos de rtp. Anais. 1992 ;[citado 2026 mar. 17 ] - Avaliação da influência do ambiente no processo de obtenção do siliceto de titânio em fornos RTP operando no LSI-EPUSP
- Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth
- Estudo do processo de calibracao de temperatura de um forno de processamento termico rapido
- Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa
- Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas
- Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides
- Trxfa: uma tecnica de analise somente para microeletronica
- 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities: their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides
- Simulacao numerica dos efeitos eletricos induzidos por imperfeicoes estruturais em capacitadores mos
- Electrodeposition of Fe thin films
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas