Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides (1992)
- Authors:
- Autor USP: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Journal of Electrochemical Society
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.139, n.10, p.2909-12, oct. 1992
-
ABNT
LOPES, M C V e HASENACK, Claus Martin. Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides. Journal of Electrochemical Society, v. 139, n. 10, p. 2909-12, 1992Tradução . . Acesso em: 10 out. 2024. -
APA
Lopes, M. C. V., & Hasenack, C. M. (1992). Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides. Journal of Electrochemical Society, 139( 10), 2909-12. -
NLM
Lopes MCV, Hasenack CM. Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides. Journal of Electrochemical Society. 1992 ;139( 10): 2909-12.[citado 2024 out. 10 ] -
Vancouver
Lopes MCV, Hasenack CM. Impact of 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities on breakdown characteristics of thin gate oxides. Journal of Electrochemical Society. 1992 ;139( 10): 2909-12.[citado 2024 out. 10 ] - 'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities: their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides
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