Deposição de nitreto de silício por LPCVD (1994)
- Authors:
- Autor USP: ZAMBOM, LUÍS DA SILVA - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PMT
- Assunto: MATERIAIS
- Language: Português
- Abstract: Desenvolveu-se um processo de deposição de nitreto de silício a partir da reação química entre diclorosilana e amônia, em baixa pressão (LPCVD – Low Pressure Chemical Vapor Deposition). Extraiu-se a taxa de crescimento do filme (< 11 'angstrons'/min), desuniformidades axial e radial (ambas < 3%) e a energia de ativação (33 kcal/mol) do processo de deposição. O filme estequiométrico ('Si ind.3''N ind.4') foi obtido a 720°C, com proporção gasosa 16 e a uma pressão de 0,5 torr. Verificou-se que mesmo um filme não estequiométrico funciona como barreira contra oxidação. Os filmes obtidos apresentaram as seguintes características físicas: concentração total de hidrogênio (na forma de ligações 'Si'- H e N - H) ≤ '5.10 pot.21''cm pot.-3', tensão máxima ≤ '5.10 pot.10' dinas/'cm pot.2'. Para espessuras superiores a 2000'angstrons' a tensão interfacial silício/nitreto foi verificada ser alta o suficiente para induzir a formação de discordâncias no substrato e rachaduras no filme, aliviando novamente a tensão. Sob o ponto de vista elétrico, o filme apresentou rigidez dielétrica superior a 8 mv/cm, com elevada carga fixa positiva (1 - '10.10 pot.12''cm pot.-2'). Esta carga, bem como a concentração total de hidrogênio na forma de ligações 'Si'- H e N - H, pode ser substancialmente reduzida via tratamentos térmicos de desinficação posteriores a deposição.
- Imprenta:
- Data da defesa: 24.06.1994
-
ABNT
ZAMBOM, Luís da Silva. Deposição de nitreto de silício por LPCVD. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-072450/pt-br.php. Acesso em: 27 dez. 2025. -
APA
Zambom, L. da S. (1994). Deposição de nitreto de silício por LPCVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-072450/pt-br.php -
NLM
Zambom L da S. Deposição de nitreto de silício por LPCVD [Internet]. 1994 ;[citado 2025 dez. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-072450/pt-br.php -
Vancouver
Zambom L da S. Deposição de nitreto de silício por LPCVD [Internet]. 1994 ;[citado 2025 dez. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-072450/pt-br.php - Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente
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