Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente (2000)
- Authors:
- USP affiliated authors: FURLAN, ROGERIO - EP ; MANSANO, RONALDO DOMINGUES - EP ; ZAMBOM, LUIS DA SILVA - EP
- Unidade: EP
- Assunto: LASER
- Language: Português
- Abstract: Um sistema de plasma de alta densidade, usandase como fonte ICP (lnductively Coupled Plasma), foi adaptado a um reator LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Depostton) convencional. Para isso uma bobina de RF de freqüência de 13,56 MHz, circundada por um anteparo de alumínio, foi colomda em volta do tubo de quartzo do reator. Filmes de nitreto de silício foram depositados a partir de gases reagentes silana e amônia e silana e nitrogênio, na temperatura de 350 'C e potências de RF de 25, 50, 75, e 100 W. Obteve se anas tacos de deposição e na mistura gasosa entre silana e nitrogênio a taxa de deposição tende a um valor oonstante a partir da proporção gasosa N2/SiH4 de 7,2 e potência de 50 W_ O índice de refração variou de 1,8 a 2,4 para silana e amônia e de 1,8 a 3,2 para silana e nitrogênio, Os valores de índice de refração, em ambos os casos, diminuem com a diluição da silana e aumento da potência
- Imprenta:
- Source:
- Título: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos
- ISSN: 1517-3542
- Volume/Número/Paginação/Ano: n.15, 2000
-
ABNT
ZAMBOM, Luís da Silva e FURLAN, Rogério e MANSANO, Ronaldo Domingues. Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, n. 15, 2000Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/933ced26-ad48-4860-9e0a-225cdbbdac23/BT-PSI-0015_1196078_250820_113436.pdf. Acesso em: 14 fev. 2026. -
APA
Zambom, L. da S., Furlan, R., & Mansano, R. D. (2000). Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, (15). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/933ced26-ad48-4860-9e0a-225cdbbdac23/BT-PSI-0015_1196078_250820_113436.pdf -
NLM
Zambom L da S, Furlan R, Mansano RD. Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2000 ;(15):[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/933ced26-ad48-4860-9e0a-225cdbbdac23/BT-PSI-0015_1196078_250820_113436.pdf -
Vancouver
Zambom L da S, Furlan R, Mansano RD. Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2000 ;(15):[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/933ced26-ad48-4860-9e0a-225cdbbdac23/BT-PSI-0015_1196078_250820_113436.pdf - LPCVD deposition of silicon nitride assisted by high density plasmas
- p-ZnO Thin Films Deposited by RF-Magnetron Sputtering
- Silicon nitride coupled plasma deposited from mixtures of silane-nitrogen and silane-ammonia
- Characteristics of silicon nitride films deposited by inductively coulped plasma CVD
- Fabrication of silicon probes for biosensors
- Deposition of silicon nitride films by LPCVD assisted by high density plasma
- Production and Characterization of TiO2 Thin Films
- Application of fluorine based plasma etching processes in microfluidic device fabrication
- Deposição de nitreto de silício por LPCVD
- Processo de deposição de filme de carbono amorfo hidrogenado, filme de carbono amorfo hidrogenado e artigo revestido com filme de carbono amorfo hidrogenado
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
BT-PSI-0015_1196078_25082... | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
