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Artigo de periodico
End-point detection of polymer etching using Langmuir probes (2000)
Castro, Raul Murete de; Verdonck, Patrick Bernard; Pisani, Marcelo B.; Mansano, Ronaldo Domingues ; Cirino, Giuseppe Antonio; Maciel, Homero Santiago; Massi, Marcos
Fonte: IEEE Transactions on Plasma Science. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
CASTRO, Raul Murete de et al. End-point detection of polymer etching using Langmuir probes. IEEE Transactions on Plasma Science, v. 28, n. Ju 2000, p. 1043-1049, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/27.887774. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Castro, R. M. de, Verdonck, P. B., Pisani, M. B., Mansano, R. D., Cirino, G. A., Maciel, H. S., & Massi, M. (2000). End-point detection of polymer etching using Langmuir probes. IEEE Transactions on Plasma Science, 28( Ju 2000), 1043-1049. doi:10.1109/27.887774
NLM
Castro RM de, Verdonck PB, Pisani MB, Mansano RD, Cirino GA, Maciel HS, Massi M. End-point detection of polymer etching using Langmuir probes [Internet]. IEEE Transactions on Plasma Science. 2000 ; 28( Ju 2000): 1043-1049.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/27.887774
Vancouver
Castro RM de, Verdonck PB, Pisani MB, Mansano RD, Cirino GA, Maciel HS, Massi M. End-point detection of polymer etching using Langmuir probes [Internet]. IEEE Transactions on Plasma Science. 2000 ; 28( Ju 2000): 1043-1049.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1109/27.887774
Artigo de periodico
Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching processes for micromachining applications (1998)
Verdonck, Patrick Bernard; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira
Fonte: Journal of Solid-State Devices and Circuits. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard et al. Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching processes for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits, v. 6, n. 1, p. 1-6, 1998Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Verdonck, P. B., Mansano, R. D., Maciel, H. S., & Salvadori, M. C. B. da S. (1998). Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching processes for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits, 6( 1), 1-6.
NLM
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS, Salvadori MCB da S. Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching processes for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1998 ; 6( 1): 1-6.[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS, Salvadori MCB da S. Silicon surface roughness induced by SF6-based reactive ion etching processes for micromachining applications. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1998 ; 6( 1): 1-6.[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas (1998)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 12, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/32637ac9-acc6-40db-9b07-d2cee0f24d2f/BT-PEE-98_12_250925_151339.pdf. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1998). Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (12). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/32637ac9-acc6-40db-9b07-d2cee0f24d2f/BT-PEE-98_12_250925_151339.pdf
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(12):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/32637ac9-acc6-40db-9b07-d2cee0f24d2f/BT-PEE-98_12_250925_151339.pdf
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(12):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/32637ac9-acc6-40db-9b07-d2cee0f24d2f/BT-PEE-98_12_250925_151339.pdf
Artigo de periodico
Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode (1998)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Fonte: Sensors and Actuators A. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode. Sensors and Actuators A, v. 65, n. 2-3, p. 180-186, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1998). Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode. Sensors and Actuators A, 65( 2-3), 180-186. doi:10.1016/s0924-4247(97)01681-6
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode [Internet]. Sensors and Actuators A. 1998 ; 65( 2-3): 180-186.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode [Internet]. Sensors and Actuators A. 1998 ; 65( 2-3): 180-186.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6
Trabalho de evento
Silicon wall profiles generated by isotropic dry etching process (1997)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Fonte: CIP'97 : proceedings. Nome do evento: International Colloquium on Plasma Processes. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Silicon wall profiles generated by isotropic dry etching process. 1997, Anais.. Paris: Société Française du Vide, 1997. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1997). Silicon wall profiles generated by isotropic dry etching process. In CIP'97 : proceedings. Paris: Société Française du Vide.
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Silicon wall profiles generated by isotropic dry etching process. CIP'97 : proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Silicon wall profiles generated by isotropic dry etching process. CIP'97 : proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom) (1997)
Massi, Marcos; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago; Verdonck, Patrick Bernard
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MASSI, Marcos et al. Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Massi, M., Mansano, R. D., Maciel, H. S., & Verdonck, P. B. (1997). Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Massi M, Mansano RD, Maciel HS, Verdonck PB. Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Massi M, Mansano RD, Maciel HS, Verdonck PB. Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom) (1997)
Verdonck, Patrick Bernard; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard e MANSANO, Ronaldo Domingues e MACIEL, Homero Santiago. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Verdonck, P. B., Mansano, R. D., & Maciel, H. S. (1997). Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas (1997)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Fonte: Vaccum. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. Vaccum, v. 48, n. 7-9, p. 677-679, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(97)00067-5. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1997). Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. Vaccum, 48( 7-9), 677-679. doi:10.1016/s0042-207x(97)00067-5
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas [Internet]. Vaccum. 1997 ; 48( 7-9): 677-679.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(97)00067-5
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas [Internet]. Vaccum. 1997 ; 48( 7-9): 677-679.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(97)00067-5
Artigo de periodico
Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas (1996)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, H. S.
Fonte: Applied Surface Science. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, H. S. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. Applied Surface Science, v. 100/101, p. 583-586, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0169-4332(96)00343-1. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1996). Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. Applied Surface Science, 100/101, 583-586. doi:10.1016/0169-4332(96)00343-1
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas [Internet]. Applied Surface Science. 1996 ; 100/101 583-586.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0169-4332(96)00343-1
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas [Internet]. Applied Surface Science. 1996 ; 100/101 583-586.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0169-4332(96)00343-1
Trabalho de evento-resumo
Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas (1996)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, H. S.
Fonte: Abstracts Book. Nome do evento: International Conference on Thin Films. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, H. S. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. 1996, Anais.. Madrid: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1996). Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. In Abstracts Book. Madrid: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. Abstracts Book. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Mechanisms of surface roughness induced in silicon by fluorine containing plasmas. Abstracts Book. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Dry etching of resist for three level resist process using statistical design of experiments (1995)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, H. S.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, H. S. Dry etching of resist for three level resist process using statistical design of experiments. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1995). Dry etching of resist for three level resist process using statistical design of experiments. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Dry etching of resist for three level resist process using statistical design of experiments. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Dry etching of resist for three level resist process using statistical design of experiments. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Relatorio tecnico
Modelamento da corrosao de resiste por plasma usando o metodo de superficie de resposta (1995)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, H. S.
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e MACIEL, H. S. Modelamento da corrosao de resiste por plasma usando o metodo de superficie de resposta. . São Paulo: Epusp. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1995
APA
Mansano, R. D., & Maciel, H. S. (1995). Modelamento da corrosao de resiste por plasma usando o metodo de superficie de resposta. São Paulo: Epusp.
NLM
Mansano RD, Maciel HS. Modelamento da corrosao de resiste por plasma usando o metodo de superficie de resposta. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Mansano RD, Maciel HS. Modelamento da corrosao de resiste por plasma usando o metodo de superficie de resposta. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Energy analysis of electrons, positive and negative ions in oxygen plasma beams (1993)
Petraconi, G; Maciel, H. S.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Encontro Brasileiro de Fisica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PETRACONI, G e MACIEL, H. S. Energy analysis of electrons, positive and negative ions in oxygen plasma beams. 1993, Anais.. Sao Jose dos Campos: SBF/Inpe, 1993. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Petraconi, G., & Maciel, H. S. (1993). Energy analysis of electrons, positive and negative ions in oxygen plasma beams. In Proceedings. Sao Jose dos Campos: SBF/Inpe.
NLM
Petraconi G, Maciel HS. Energy analysis of electrons, positive and negative ions in oxygen plasma beams. Proceedings. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Petraconi G, Maciel HS. Energy analysis of electrons, positive and negative ions in oxygen plasma beams. Proceedings. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Plasma enhanced chemical vapor infiltration for carbon / carbon composite manufacture (1993)
Nogueira, C L; Otani, C; Maciel, H. S.; Petraconi, G; Aquino, E
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Encontro Brasileiro de Fisica dos Plasmas. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOGUEIRA, C L et al. Plasma enhanced chemical vapor infiltration for carbon / carbon composite manufacture. 1993, Anais.. Sao Jose dos Campos: SBF/Inpe, 1993. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Nogueira, C. L., Otani, C., Maciel, H. S., Petraconi, G., & Aquino, E. (1993). Plasma enhanced chemical vapor infiltration for carbon / carbon composite manufacture. In Proceedings. Sao Jose dos Campos: SBF/Inpe.
NLM
Nogueira CL, Otani C, Maciel HS, Petraconi G, Aquino E. Plasma enhanced chemical vapor infiltration for carbon / carbon composite manufacture. Proceedings. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Nogueira CL, Otani C, Maciel HS, Petraconi G, Aquino E. Plasma enhanced chemical vapor infiltration for carbon / carbon composite manufacture. Proceedings. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]

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