ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots (1996)
González-Borrero, P P; Marega Junior, Euclydes ; Notari, A C; Lubyshev, D I; Petitprez, E; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONZÁLEZ-BORRERO, P P et al. High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots. 1996, Anais.. São Paulo: Sbf, 1996. . Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
González-Borrero, P. P., Marega Junior, E., Notari, A. C., Lubyshev, D. I., Petitprez, E., & Basmaji, P. (1996). High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sbf.
NLM
González-Borrero PP, Marega Junior E, Notari AC, Lubyshev DI, Petitprez E, Basmaji P. High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots. Resumos. 1996 ;[citado 2026 abr. 28 ]
Vancouver
González-Borrero PP, Marega Junior E, Notari AC, Lubyshev DI, Petitprez E, Basmaji P. High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots. Resumos. 1996 ;[citado 2026 abr. 28 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe (1993)
Rossi, J C; Lubeshev, D I; Basmaji, Pierre; Pizzani, P S; Galzerani, J C; Notari, A C
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSSI, J C et al. Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Rossi, J. C., Lubeshev, D. I., Basmaji, P., Pizzani, P. S., Galzerani, J. C., & Notari, A. C. (1993). Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rossi JC, Lubeshev DI, Basmaji P, Pizzani PS, Galzerani JC, Notari AC. Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2026 abr. 28 ]
Vancouver
Rossi JC, Lubeshev DI, Basmaji P, Pizzani PS, Galzerani JC, Notari AC. Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2026 abr. 28 ]
Artigo de periodico
Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1992)
Notari, A C; Schrappe, B J; Basmaji, Pierre
Source: Solid State Communications. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C e SCHRAPPE, B J e BASMAJI, Pierre. Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Solid State Communications, v. 81, n. 4 , p. 363-5, 1992Tradução . . Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C., Schrappe, B. J., & Basmaji, P. (1992). Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Solid State Communications, 81( 4 ), 363-5.
NLM
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P. Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Solid State Communications. 1992 ;81( 4 ): 363-5.[citado 2026 abr. 28 ]
Vancouver
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P. Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Solid State Communications. 1992 ;81( 4 ): 363-5.[citado 2026 abr. 28 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1992)
Schrappe, B J; Notari, A C; Basmaji, Pierre
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B J e NOTARI, A C e BASMAJI, Pierre. Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Bulletin of the American Physical Society. New York: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 28 abr. 2026. , 1992
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., & Basmaji, P. (1992). Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Bulletin of the American Physical Society. New York: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P. Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Bulletin of the American Physical Society. 1992 ;37( 1 ): 358.[citado 2026 abr. 28 ]
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P. Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Bulletin of the American Physical Society. 1992 ;37( 1 ): 358.[citado 2026 abr. 28 ]
Artigo de periodico
Heavily 'SE' spike-doped 'GA''AS' grown by molecular beam epitaxy (1992)
Notari, A C; Schrappe, B J; Basmaji, Pierre; Hipólito, Oscar
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Heavily 'SE' spike-doped 'GA''AS' grown by molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 116, p. 518-20, 1992Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90663-4. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C., Schrappe, B. J., Basmaji, P., & Hipólito, O. (1992). Heavily 'SE' spike-doped 'GA''AS' grown by molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 116, 518-20. doi:10.1016/0022-0248(92)90663-4
NLM
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P, Hipólito O. Heavily 'SE' spike-doped 'GA''AS' grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1992 ;116 518-20.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90663-4
Vancouver
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P, Hipólito O. Heavily 'SE' spike-doped 'GA''AS' grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1992 ;116 518-20.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90663-4
Artigo de periodico
Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium delta-doped 'GA''AS' (1992)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Schrappe, B; Degani, Marcos Henrique; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar
Source: Surface Science. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium delta-doped 'GA''AS'. Surface Science, v. 263, p. 231-3, 1992Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0039-6028(92)90342-4. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Schrappe, B., Degani, M. H., Ioriatti Júnior, L. C., & Hipólito, O. (1992). Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium delta-doped 'GA''AS'. Surface Science, 263, 231-3. doi:10.1016/0039-6028(92)90342-4
NLM
Basmaji P, Notari AC, Schrappe B, Degani MH, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium delta-doped 'GA''AS' [Internet]. Surface Science. 1992 ;263 231-3.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(92)90342-4
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Schrappe B, Degani MH, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium delta-doped 'GA''AS' [Internet]. Surface Science. 1992 ;263 231-3.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(92)90342-4
Trabalho de evento-resumo
Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio (1992)
Basmaji, Pierre; Schrappe, B; Notari, A C
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre e SCHRAPPE, B e NOTARI, A C. Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/afcb760c-b88c-4642-be76-29ca9b791174/PROD002064_829182.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Basmaji, P., Schrappe, B., & Notari, A. C. (1992). Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/afcb760c-b88c-4642-be76-29ca9b791174/PROD002064_829182.pdf
NLM
Basmaji P, Schrappe B, Notari AC. Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio [Internet]. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/afcb760c-b88c-4642-be76-29ca9b791174/PROD002064_829182.pdf
Vancouver
Basmaji P, Schrappe B, Notari AC. Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio [Internet]. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/afcb760c-b88c-4642-be76-29ca9b791174/PROD002064_829182.pdf
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares (1992)
Notari, A C; Schrappe, B J; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C e SCHRAPPE, B J e BASMAJI, Pierre. Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/652a766c-952a-48ee-82cc-69feed951227/PROD002060_829194.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C., Schrappe, B. J., & Basmaji, P. (1992). Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/652a766c-952a-48ee-82cc-69feed951227/PROD002060_829194.pdf
NLM
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P. Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares [Internet]. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/652a766c-952a-48ee-82cc-69feed951227/PROD002060_829194.pdf
Vancouver
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P. Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares [Internet]. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/652a766c-952a-48ee-82cc-69feed951227/PROD002060_829194.pdf
Artigo de periodico
Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers (1991)
Egues, José Carlos ; Barbosa, J C; Notari, A C; Basmaji, Pierre; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Ranz, E; Portal, J C
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
EGUES, José Carlos et al. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics, v. 70, n. 7 , p. 3678-80, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.349215. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Egues, J. C., Barbosa, J. C., Notari, A. C., Basmaji, P., Ioriatti Júnior, L. C., Ranz, E., & Portal, J. C. (1991). Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics, 70( 7 ), 3678-80. doi:10.1063/1.349215
NLM
Egues JC, Barbosa JC, Notari AC, Basmaji P, Ioriatti Júnior LC, Ranz E, Portal JC. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 1991 ;70( 7 ): 3678-80.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.349215
Vancouver
Egues JC, Barbosa JC, Notari AC, Basmaji P, Ioriatti Júnior LC, Ranz E, Portal JC. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 1991 ;70( 7 ): 3678-80.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.349215
Trabalho de evento-resumo periodico
Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy (1991)
Lima, W; Notari, A C; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Motisuke, P
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: Interdisciplinary Laser Science Conference. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, W et al. Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5e65c7b-4c8c-417e-a80f-2a146e0719f3/PROD000453_820206.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026. , 1991
APA
Lima, W., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., & Motisuke, P. (1991). Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5e65c7b-4c8c-417e-a80f-2a146e0719f3/PROD000453_820206.pdf
NLM
Lima W, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Motisuke P. Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1991 ;36( 7 ): 2000.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5e65c7b-4c8c-417e-a80f-2a146e0719f3/PROD000453_820206.pdf
Vancouver
Lima W, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Motisuke P. Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1991 ;36( 7 ): 2000.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5e65c7b-4c8c-417e-a80f-2a146e0719f3/PROD000453_820206.pdf
Artigo de periodico
Dependence of the width of a 'DELTA'-impurity layer on position in an 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' strained quantum well (1991)
Notari, A C; Schrappe, B; Basmaji, Pierre; Hipólito, Oscar
Source: Physica Status Solidi a. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Dependence of the width of a 'DELTA'-impurity layer on position in an 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' strained quantum well. Physica Status Solidi a, v. 126, n. 2 , p. k119-22, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssa.2211260233. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C., Schrappe, B., Basmaji, P., & Hipólito, O. (1991). Dependence of the width of a 'DELTA'-impurity layer on position in an 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' strained quantum well. Physica Status Solidi a, 126( 2 ), k119-22. doi:10.1002/pssa.2211260233
NLM
Notari AC, Schrappe B, Basmaji P, Hipólito O. Dependence of the width of a 'DELTA'-impurity layer on position in an 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' strained quantum well [Internet]. Physica Status Solidi a. 1991 ;126( 2 ): k119-22.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.2211260233
Vancouver
Notari AC, Schrappe B, Basmaji P, Hipólito O. Dependence of the width of a 'DELTA'-impurity layer on position in an 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' strained quantum well [Internet]. Physica Status Solidi a. 1991 ;126( 2 ): k119-22.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.2211260233
Trabalho de evento-resumo periodico
Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS' (1991)
Notari, A C; Minondo, M; Schrappe, B; Siu Li, Máximo ; Basmaji, Pierre; Hipólito, Oscar
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: Interdisciplinary Laser Science Conference. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/85aab7ca-270f-4de6-89cc-bad326fb33ef/PROD000488_820208.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026. , 1991
APA
Notari, A. C., Minondo, M., Schrappe, B., Siu Li, M., Basmaji, P., & Hipólito, O. (1991). Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/85aab7ca-270f-4de6-89cc-bad326fb33ef/PROD000488_820208.pdf
NLM
Notari AC, Minondo M, Schrappe B, Siu Li M, Basmaji P, Hipólito O. Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1991 ;36( 7 ): 2001.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/85aab7ca-270f-4de6-89cc-bad326fb33ef/PROD000488_820208.pdf
Vancouver
Notari AC, Minondo M, Schrappe B, Siu Li M, Basmaji P, Hipólito O. Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1991 ;36( 7 ): 2001.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/85aab7ca-270f-4de6-89cc-bad326fb33ef/PROD000488_820208.pdf
Trabalho de evento-resumo
Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE' (1991)
Notari, A C; Basmaji, Pierre; Schrappe, B; Ranz, E; Portal, J C
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE'. 1991, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b2a8511-413b-4932-b6be-8e0786c32fa2/PROD001854_813526.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Schrappe, B., Ranz, E., & Portal, J. C. (1991). Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b2a8511-413b-4932-b6be-8e0786c32fa2/PROD001854_813526.pdf
NLM
Notari AC, Basmaji P, Schrappe B, Ranz E, Portal JC. Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE' [Internet]. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b2a8511-413b-4932-b6be-8e0786c32fa2/PROD001854_813526.pdf
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Schrappe B, Ranz E, Portal JC. Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE' [Internet]. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b2a8511-413b-4932-b6be-8e0786c32fa2/PROD001854_813526.pdf
Trabalho de evento-resumo
Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares (1991)
Notari, A C; Bernussi, A A; Schrappe, B; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. 1991, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/03baa441-6180-498f-9a88-0bcf10903c72/PROD001900_813527.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C., Bernussi, A. A., Schrappe, B., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1991). Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/03baa441-6180-498f-9a88-0bcf10903c72/PROD001900_813527.pdf
NLM
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares [Internet]. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/03baa441-6180-498f-9a88-0bcf10903c72/PROD001900_813527.pdf
Vancouver
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares [Internet]. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/03baa441-6180-498f-9a88-0bcf10903c72/PROD001900_813527.pdf
Trabalho de evento-resumo
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe (1990)
Notari, A C; Lapasse, N; Siu Li, Máximo ; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C., Lapasse, N., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1990). Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
NLM
Notari AC, Lapasse N, Siu Li M, Basmaji P. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
Vancouver
Notari AC, Lapasse N, Siu Li M, Basmaji P. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Schrappe, B J; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B J et al. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1990). Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Siu Li M, Basmaji P. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Siu Li M, Basmaji P. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
Trabalho de evento-resumo
Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Ioriatti Júnior, L. C., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Motisuke, P
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026. , 1990
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., & Motisuke, P. (1990). Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe (1989)
Ceschin, A M; Notari, A C; Manzoli, E; Sharappe, B; Siu Li, Máximo
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9fc439e0-2d5f-418f-b556-f60f2c0c1d17/PROD001139_791741.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026. , 1989
APA
Ceschin, A. M., Notari, A. C., Manzoli, E., Sharappe, B., & Siu Li, M. (1989). Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9fc439e0-2d5f-418f-b556-f60f2c0c1d17/PROD001139_791741.pdf
NLM
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe [Internet]. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9fc439e0-2d5f-418f-b556-f60f2c0c1d17/PROD001139_791741.pdf
Vancouver
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe [Internet]. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9fc439e0-2d5f-418f-b556-f60f2c0c1d17/PROD001139_791741.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' (1989)
Bernussi, A A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Program and Abstracts. Conference titles: Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology. Unidade: IFSC
Subjects: FOTÔNICA, ESPECTROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. 1989, Anais.. Brasília: Universidade de Brasilia, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. In Program and Abstracts. Brasília: Universidade de Brasilia. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' [Internet]. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' [Internet]. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Conference titles