Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1992)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.81, n.4 , p.363-5, 1992
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ABNT
NOTARI, A C e SCHRAPPE, B J e BASMAJI, Pierre. Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Solid State Communications, v. 81, n. 4 , p. 363-5, 1992Tradução . . Acesso em: 14 fev. 2026. -
APA
Notari, A. C., Schrappe, B. J., & Basmaji, P. (1992). Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Solid State Communications, 81( 4 ), 363-5. -
NLM
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P. Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Solid State Communications. 1992 ;81( 4 ): 363-5.[citado 2026 fev. 14 ] -
Vancouver
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P. Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Solid State Communications. 1992 ;81( 4 ): 363-5.[citado 2026 fev. 14 ] - Origem da luminescencia visivel do silicio poroso
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