Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering (1997)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.366511
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Applied Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 82, n. 12, p. 6247-6250, 1997
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SILVA, S W da et al. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering. Journal of Applied Physics, v. 82, n. 12, p. 6247-6250, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.366511. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Silva, S. W. da, Lubyshev, D. I., Basmaji, P., Pusep, Y. A., Pizani, P. S., Galzerani, J. C., et al. (1997). Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering. Journal of Applied Physics, 82( 12), 6247-6250. doi:10.1063/1.366511 -
NLM
Silva SW da, Lubyshev DI, Basmaji P, Pusep YA, Pizani PS, Galzerani JC, Katiyar RS, Morell G. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering [Internet]. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 12): 6247-6250.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.366511 -
Vancouver
Silva SW da, Lubyshev DI, Basmaji P, Pusep YA, Pizani PS, Galzerani JC, Katiyar RS, Morell G. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering [Internet]. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 12): 6247-6250.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.366511 - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.366511 (Fonte: oaDOI API)
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