Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering (1997)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.366511
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 82, n. 12, p. 6247-6250, 1997
- Status:
- Nenhuma versão em acesso aberto identificada
-
ABNT
SILVA, S W da et al. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering. Journal of Applied Physics, v. 82, n. 12, p. 6247-6250, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.366511. Acesso em: 06 maio 2026. -
APA
Silva, S. W. da, Lubyshev, D. I., Basmaji, P., Pusep, Y. A., Pizani, P. S., Galzerani, J. C., et al. (1997). Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering. Journal of Applied Physics, 82( 12), 6247-6250. doi:10.1063/1.366511 -
NLM
Silva SW da, Lubyshev DI, Basmaji P, Pusep YA, Pizani PS, Galzerani JC, Katiyar RS, Morell G. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering [Internet]. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 12): 6247-6250.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.366511 -
Vancouver
Silva SW da, Lubyshev DI, Basmaji P, Pusep YA, Pizani PS, Galzerani JC, Katiyar RS, Morell G. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering [Internet]. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 12): 6247-6250.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.366511 - Origem da luminescencia visivel do silicio poroso
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