Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures (1998)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Conference titles: Conferência Internacional de Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE)
-
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998, Anais.. Cannes: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 07 maio 2026. -
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., & Basmaji, P. (1998). Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. In . Cannes: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, González-Borrero PP, Basmaji P. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998 ;[citado 2026 maio 07 ] -
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, González-Borrero PP, Basmaji P. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998 ;[citado 2026 maio 07 ] - Origem da luminescencia visivel do silicio poroso
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