Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1103/physrevb.58.r1770
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 58, n. 4, p. R1770-R1773, 1998
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, v. 58, n. 4, p. R1770-R1773, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770. Acesso em: 14 fev. 2026. -
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Silva, S. W., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Toropov, A. I., & Basmaji, P. (1998). Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, 58( 4), R1770-R1773. doi:10.1103/physrevb.58.r1770 -
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770 -
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770 - Origem da luminescencia visivel do silicio poroso
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.58.r1770 (Fonte: oaDOI API)
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