Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares (1991)
- Authors:
- USP affiliated authors: HIPOLITO, OSCAR - IFSC ; BASMAJI, PIERRE - IFSC ; LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS); MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: Sao Paulo
- Date published: 1991
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
NOTARI, A C et al. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. 1991, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Notari, A. C., Bernussi, A. A., Schrappe, B., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1991). Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'
- Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples
- Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy
- Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
- Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
- Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'
- Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
- Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy
- Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'
- Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy
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