Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares (1991)
- Authors:
- USP affiliated authors: HIPOLITO, OSCAR - IFSC ; BASMAJI, PIERRE - IFSC ; LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS); MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1991
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
NOTARI, A C et al. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. 1991, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/03baa441-6180-498f-9a88-0bcf10903c72/PROD001900_813527.pdf. Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Notari, A. C., Bernussi, A. A., Schrappe, B., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1991). Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/03baa441-6180-498f-9a88-0bcf10903c72/PROD001900_813527.pdf -
NLM
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares [Internet]. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/03baa441-6180-498f-9a88-0bcf10903c72/PROD001900_813527.pdf -
Vancouver
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares [Internet]. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/03baa441-6180-498f-9a88-0bcf10903c72/PROD001900_813527.pdf - Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
- Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
- Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
- Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy
- Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'
- Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy
- Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'
- Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'
- Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy
- Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples
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| Tipo | Nome | Link | |
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