Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares (1992)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1992
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
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ABNT
NOTARI, A C e SCHRAPPE, B J e BASMAJI, Pierre. Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 20 jan. 2026. -
APA
Notari, A. C., Schrappe, B. J., & Basmaji, P. (1992). Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P. Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2026 jan. 20 ] -
Vancouver
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P. Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2026 jan. 20 ] - Ion incorporation and exchange effects in porous silicon
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