Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs (1998)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: CETEPE
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 1998
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Simpósio Interunidades de Ciência e Engenharia de Materiais
-
ABNT
PETITPREZ, Emmanuel; BASMAJI, Pierre. Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. Anais.. São Carlos: CETEPE, 1998. -
APA
Petitprez, E., & Basmaji, P. (1998). Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. In Programa e Resumos. São Carlos: CETEPE. -
NLM
Petitprez E, Basmaji P. Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. Programa e Resumos. 1998 ; -
Vancouver
Petitprez E, Basmaji P. Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. Programa e Resumos. 1998 ; - MBE crystal growth
- Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico
- Pressure dependence and comparsion of the 'SI' and 'SN' related dx centers in 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
- Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes
- Surface phonon observed in GaAs wire crystals grown on porous Si
- Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas
- Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures
- Capacitance-voltage characterization of InAs and InGaAs quantum dots
- Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices
- Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
