Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso (1993)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS); MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1993
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 14 fev. 2026. -
APA
Basmaji, P., Rossi, J. C., Grivickas, V., Surdutovich, G., Vitlina, R., Kolenda, J., et al. (1993). Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Basmaji P, Rossi JC, Grivickas V, Surdutovich G, Vitlina R, Kolenda J, Matvienko B, Bernussi AA. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2026 fev. 14 ] -
Vancouver
Basmaji P, Rossi JC, Grivickas V, Surdutovich G, Vitlina R, Kolenda J, Matvienko B, Bernussi AA. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2026 fev. 14 ] - Origem da luminescencia visivel do silicio poroso
- Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico
- Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI'by molecular beam epitaxy
- Ions incorporation and exchange effects in porous silicon
- Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering
- Montagem e desenvolvimento de um sistema para a caracterizacao eletrica e otica de filmes e estruturas semicondutoras
- Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures
- Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots
- Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems
- Electrical properties of dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas