Formacao natural de pontos quanticos (1996)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Usp
- Publisher place: Sao Carlos
- Date published: 1996
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Simposio Interno da Pos-Graduacao do Ifsc
-
ABNT
GONZÁLEZ-BORRERO, P P e BASMAJI, Pierre. Formacao natural de pontos quanticos. 1996, Anais.. Sao Carlos: Usp, 1996. . Acesso em: 20 jan. 2026. -
APA
González-Borrero, P. P., & Basmaji, P. (1996). Formacao natural de pontos quanticos. In Resumos. Sao Carlos: Usp. -
NLM
González-Borrero PP, Basmaji P. Formacao natural de pontos quanticos. Resumos. 1996 ;[citado 2026 jan. 20 ] -
Vancouver
González-Borrero PP, Basmaji P. Formacao natural de pontos quanticos. Resumos. 1996 ;[citado 2026 jan. 20 ] - Ion incorporation and exchange effects in porous silicon
- Optical absorption in porous silicon of high porosity
- Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs
- Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico
- Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS'
- Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares
- Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c
- Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI'
- Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar
- Capacitance-voltage characterization of InAs and InGaAs quantum dots
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