Capacitance-voltage characterization of InAs and InGaAs quantum dots (1998)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1998
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
PETITPREZ, Emmanuel e BASMAJI, Pierre. Capacitance-voltage characterization of InAs and InGaAs quantum dots. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 27 dez. 2025. -
APA
Petitprez, E., & Basmaji, P. (1998). Capacitance-voltage characterization of InAs and InGaAs quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Petitprez E, Basmaji P. Capacitance-voltage characterization of InAs and InGaAs quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2025 dez. 27 ] -
Vancouver
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