Evidence of localized luminescence centers in porous silicon (1994)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Program and Abstracts
- Conference titles: International Conference on Superlattices Microstructures and Microdevices - ICSMM
-
ABNT
BASMAJI, Pierre e MATVIENKO, B e GUIMARÃES, Francisco Eduardo Gontijo. Evidence of localized luminescence centers in porous silicon. 1994, Anais.. Alberta: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1994. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Basmaji, P., Matvienko, B., & Guimarães, F. E. G. (1994). Evidence of localized luminescence centers in porous silicon. In Program and Abstracts. Alberta: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Basmaji P, Matvienko B, Guimarães FEG. Evidence of localized luminescence centers in porous silicon. Program and Abstracts. 1994 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Basmaji P, Matvienko B, Guimarães FEG. Evidence of localized luminescence centers in porous silicon. Program and Abstracts. 1994 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
- 'IN''AS' wire crystals grown by molecular beam epitaxy on porous 'SI'
- Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio
- Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE'
- Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping
- Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect?
- Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy
- Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping
- Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy
- Magnetic-field-tuned impurity level in a mesoscopic 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' antidot sample
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
