Surface phonon observed in GaAs wire crystals grown on porous Si (1998)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1088/0953-8984/10/43/011
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Physics: Condensed Matter
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 10, p. 9687-9690, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SILVA, S. W. et al. Surface phonon observed in GaAs wire crystals grown on porous Si. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 10, p. 9687-9690, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/43/011. Acesso em: 28 dez. 2025. -
APA
Silva, S. W., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., & Basmaji, P. (1998). Surface phonon observed in GaAs wire crystals grown on porous Si. Journal of Physics: Condensed Matter, 10, 9687-9690. doi:10.1088/0953-8984/10/43/011 -
NLM
Silva SW, Galzerani JC, Lubyshev DI, Basmaji P. Surface phonon observed in GaAs wire crystals grown on porous Si [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 1998 ; 10 9687-9690.[citado 2025 dez. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/43/011 -
Vancouver
Silva SW, Galzerani JC, Lubyshev DI, Basmaji P. Surface phonon observed in GaAs wire crystals grown on porous Si [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 1998 ; 10 9687-9690.[citado 2025 dez. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/43/011 - Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico
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Informações sobre o DOI: 10.1088/0953-8984/10/43/011 (Fonte: oaDOI API)
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