Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico (1994)
- Autor:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCM
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Abstract: Sempre foi um sonho de tecnologia de silicio conseguir um diodo emissor de luz visivel. Esta possibilidade ate hoje foi limitada aos semicondutores iii-v, sendo portanto, muito interessante conseguir-se um dispositivo optoeletronico utilizando a tecnologia de silicio poroso. Esta tecnologia e baseada no processo eletroquimico capaz de produzir nano estrutura de silicio denominado silicio poroso. A transformacao de silicio cristalino para silicio poroso pode ser feito atraves da dissolucao eletroquimica utilizando acido hf numa celula eletrolitica. Existem varias hipoteses sobre a origem da emissao de luz visivel. Uma primeira implica no efeito de confinamento quantico como sendo o responsavel pela luminescencia visivel. Para uma segunda hipotese, a luminescencia depende de estados superficiais que sao responsaveis pela emissao de luz visivel. Neste trabalho, propomos que centros de estados metaestaveis como um modelo para o mecanismo de luminescencia em silicio poroso. Absorcao de radiacao uv leva o centro de luminescencia para um estado excitado onde relaxa para estados triplete, em seguida emite luz visivel
- Imprenta:
- Publisher place: Sao Carlos
- Date published: 1994
- Data da defesa: 05.09.1994
-
ABNT
BASMAJI, Pierre. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. 1994. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1994. . Acesso em: 27 dez. 2025. -
APA
Basmaji, P. (1994). Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, Sao Carlos. -
NLM
Basmaji P. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. 1994 ;[citado 2025 dez. 27 ] -
Vancouver
Basmaji P. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. 1994 ;[citado 2025 dez. 27 ] - Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy
- Surface phonon and 'E IND.1' gap shift observed in 'IN''AS' wire crystals on porous 'SI'
- Photoluminescence fatigue-effect cycling in porous silicon
- Shallow and deep dx center in 'PB'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
- Capacitance-voltage characterization of InAs and InGaAs quantum dots
- Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes
- Surface phonon observed in GaAs wire crystals grown on porous Si
- Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices
- Evidence of localized luminescence centers in porous silicon
- Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures
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