Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico (1994)
- Autor:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCM
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Abstract: Sempre foi um sonho de tecnologia de silicio conseguir um diodo emissor de luz visivel. Esta possibilidade ate hoje foi limitada aos semicondutores iii-v, sendo portanto, muito interessante conseguir-se um dispositivo optoeletronico utilizando a tecnologia de silicio poroso. Esta tecnologia e baseada no processo eletroquimico capaz de produzir nano estrutura de silicio denominado silicio poroso. A transformacao de silicio cristalino para silicio poroso pode ser feito atraves da dissolucao eletroquimica utilizando acido hf numa celula eletrolitica. Existem varias hipoteses sobre a origem da emissao de luz visivel. Uma primeira implica no efeito de confinamento quantico como sendo o responsavel pela luminescencia visivel. Para uma segunda hipotese, a luminescencia depende de estados superficiais que sao responsaveis pela emissao de luz visivel. Neste trabalho, propomos que centros de estados metaestaveis como um modelo para o mecanismo de luminescencia em silicio poroso. Absorcao de radiacao uv leva o centro de luminescencia para um estado excitado onde relaxa para estados triplete, em seguida emite luz visivel
- Imprenta:
- Publisher place: Sao Carlos
- Date published: 1994
- Data da defesa: 05.09.1994
-
ABNT
BASMAJI, Pierre. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. 1994. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1994. . Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Basmaji, P. (1994). Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, Sao Carlos. -
NLM
Basmaji P. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. 1994 ;[citado 2024 abr. 20 ] -
Vancouver
Basmaji P. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. 1994 ;[citado 2024 abr. 20 ] - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
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