Optical absorption in porous silicon of high porosity (1993)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/0040-6090(93)90271-p
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; CIRCUITOS ELETRÔNICOS; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS); MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Thin Solid Films
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.235, p.234-8, 1993
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
GRIVICKAS, V e BASMAJI, Pierre. Optical absorption in porous silicon of high porosity. Thin Solid Films, v. 235, p. 234-8, 1993Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0040-6090(93)90271-p. Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Grivickas, V., & Basmaji, P. (1993). Optical absorption in porous silicon of high porosity. Thin Solid Films, 235, 234-8. doi:10.1016/0040-6090(93)90271-p -
NLM
Grivickas V, Basmaji P. Optical absorption in porous silicon of high porosity [Internet]. Thin Solid Films. 1993 ;235 234-8.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0040-6090(93)90271-p -
Vancouver
Grivickas V, Basmaji P. Optical absorption in porous silicon of high porosity [Internet]. Thin Solid Films. 1993 ;235 234-8.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0040-6090(93)90271-p - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
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Informações sobre o DOI: 10.1016/0040-6090(93)90271-p (Fonte: oaDOI API)
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