Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: HIPOLITO, OSCAR - IFSC ; IORIATTI JUNIOR, LIDERIO CITRANGULO - IFSC ; BASMAJI, PIERRE - IFSC ; LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf. Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Ioriatti Júnior, L. C., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf -
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf -
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7b00bc4d-2966-47f6-9fb7-df5c6a8cd243/PROD001362_804172.pdf - Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
- Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares
- Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
- Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
- Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy
- Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'
- Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy
- Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'
- Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'
- Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
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