Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers (1991)
- Authors:
- USP affiliated authors: IORIATTI JUNIOR, LIDERIO CITRANGULO - IFSC ; BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.70, n.7 , p.3678-80, oct. 1991
-
ABNT
EGUES, José Carlos et al. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics, v. 70, n. 7 , p. 3678-80, 1991Tradução . . Acesso em: 19 out. 2024. -
APA
Egues, J. C., Barbosa, J. C., Notari, A. C., Basmaji, P., Ioriatti Júnior, L. C., Ranz, E., & Portal, J. C. (1991). Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics, 70( 7 ), 3678-80. -
NLM
Egues JC, Barbosa JC, Notari AC, Basmaji P, Ioriatti Júnior LC, Ranz E, Portal JC. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics. 1991 ;70( 7 ): 3678-80.[citado 2024 out. 19 ] -
Vancouver
Egues JC, Barbosa JC, Notari AC, Basmaji P, Ioriatti Júnior LC, Ranz E, Portal JC. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics. 1991 ;70( 7 ): 3678-80.[citado 2024 out. 19 ] - Ground impurity levels in superlattices
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