Espalhamento raman por excitacoes de densidade de carga em sistemas eletronicos nao-uniformes (1996)
- Autores:
- Autor USP: IORIATTI JUNIOR, LIDERIO CITRANGULO - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
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ABNT
ANJOS, V C e IORIATTI JÚNIOR, Lidério Citrângulo. Espalhamento raman por excitacoes de densidade de carga em sistemas eletronicos nao-uniformes. 1996, Anais.. São Paulo: Sbf, 1996. . Acesso em: 01 out. 2024. -
APA
Anjos, V. C., & Ioriatti Júnior, L. C. (1996). Espalhamento raman por excitacoes de densidade de carga em sistemas eletronicos nao-uniformes. In Resumos. São Paulo: Sbf. -
NLM
Anjos VC, Ioriatti Júnior LC. Espalhamento raman por excitacoes de densidade de carga em sistemas eletronicos nao-uniformes. Resumos. 1996 ;[citado 2024 out. 01 ] -
Vancouver
Anjos VC, Ioriatti Júnior LC. Espalhamento raman por excitacoes de densidade de carga em sistemas eletronicos nao-uniformes. Resumos. 1996 ;[citado 2024 out. 01 ] - Constante dieletrica longitudinal em pocos quanticos formados por 'GA''AS'-'AL''GA''AS'
- Ground impurity level in 'GA''AS'-'AL''GA''AS' superlattices
- Plasmon localizado em gas bidimensional de eletrons
- Estrutura eletronica de fios quanticos gerados por distribuicao de carga espacial
- Espalhamento raman por excitacoes eletronicas em super-redes de 'GA''AS' 'DELTA'- dopadas
- Estudo de redes desordenadas ou quase- periódicas
- Movimento Browniano
- Longitudinal dielectric constant for quantum wells
- Luminescence and Raman scattering in periodically ´DELTA´-doped GaAs
- Thomas-fermi model 'DELTA' - doping
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