High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: BASMAJI, PIERRE - IFSC ; MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
GONZÁLEZ-BORRERO, P P et al. High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots. 1996, Anais.. São Paulo: Sbf, 1996. . Acesso em: 25 abr. 2024. -
APA
González-Borrero, P. P., Marega Júnior, E., Notari, A. C., Lubyshev, D. I., Petitprez, E., & Basmaji, P. (1996). High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sbf. -
NLM
González-Borrero PP, Marega Júnior E, Notari AC, Lubyshev DI, Petitprez E, Basmaji P. High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 25 ] -
Vancouver
González-Borrero PP, Marega Júnior E, Notari AC, Lubyshev DI, Petitprez E, Basmaji P. High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 25 ] - Surface kinetics effects at the mbe growth of iii-v compounds
- Optical properties of self-assembled 'IN''AS' quantum dots on high-index 'GA''AS' substrates
- Projeto e construcao de um sistema de vacuo para uso em espectroscopia de massa de particulas ionizadas (sims)
- Vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311) a / b and (100) 'GA''AS' substrates
- Optical properties of self-assembled 'IN''AS' quantum dots on high-index 'GA''AS' substrates
- Self-organized 'IN''GA''AS' quantum dots grown by molecular beam epitaxy on (100), (711)a / b, (511)a / b, (311)a / b, (211)a / b, and (111)a / b oriented 'GA''AS'
- Optical properties of natural 'In IND.X'Ga IND.1'-XAs quantum dots grown on high-index GaAs substrates
- Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM)
- Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações
- Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas