Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1992)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Bulletin of the American Physical Society
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.37, n.1 , p.358, mar. 1992
- Conference titles: March Meeting
-
ABNT
SCHRAPPE, B J e NOTARI, A C e BASMAJI, Pierre. Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Bulletin of the American Physical Society. New York: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 12 mar. 2026. , 1992 -
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., & Basmaji, P. (1992). Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Bulletin of the American Physical Society. New York: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P. Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Bulletin of the American Physical Society. 1992 ;37( 1 ): 358.[citado 2026 mar. 12 ] -
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P. Capacitance measurement of resonant dx centers in heavily 'SE'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Bulletin of the American Physical Society. 1992 ;37( 1 ): 358.[citado 2026 mar. 12 ] - Origem da luminescencia visivel do silicio poroso
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