Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' (1989)
- Authors:
- USP affiliated authors: HIPOLITO, OSCAR - IFSC ; LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: FOTÔNICA; ESPECTROSCOPIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Universidade de Brasilia
- Publisher place: Brasília
- Date published: 1989
- Source:
- Título: Program and Abstracts
- Conference titles: Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology
-
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. 1989, Anais.. Brasília: Universidade de Brasilia, 1989. . Acesso em: 24 jan. 2026. -
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. In Program and Abstracts. Brasília: Universidade de Brasilia. -
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2026 jan. 24 ] -
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2026 jan. 24 ] - Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
- Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE
- MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
- Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular
- Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
- Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
- Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'
- Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs
- Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs
- Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares
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