Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1989)
- Authors:
- USP affiliated authors: HIPOLITO, OSCAR - IFQSC ; LI, MAXIMO SIU - IFQSC
- Unidade: IFQSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: International Conference on Modulated Semiconductor Structures
-
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. 1989, Anais.. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 24 jan. 2026. -
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1989). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. In Proceedings. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo. -
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2026 jan. 24 ] -
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2026 jan. 24 ] - Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE
- Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'
- MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
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