Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: LI, MAXIMO SIU - IFQSC ; HIPOLITO, OSCAR - IFQSC
- Unidade: IFQSC
- DOI: 10.1117/12.20864
- Assunto: FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: International Society for Optical Engineering - SPIE
- Publisher place: Bellingham
- Date published: 1990
- Source:
- Título: Proceedings of SPIE
- ISSN: 0277-786X
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 1286, p. 348-358, March 1990
- Conference titles: International Conference of Modulation Spectroscopy
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.20864. Acesso em: 24 jan. 2026. , 1990 -
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.20864 -
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2026 jan. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864 -
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2026 jan. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864 - Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
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Informações sobre o DOI: 10.1117/12.20864 (Fonte: oaDOI API)
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