Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: LI, MAXIMO SIU - IFQSC ; HIPOLITO, OSCAR - IFQSC
- Unidade: IFQSC
- Assunto: FÍSICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 03 out. 2024. -
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. -
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 out. 03 ] -
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 out. 03 ] - Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'
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