Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe (1989)
- Authors:
- Autor USP: LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES; FOTÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Ciência e Cultura
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.41, n.7 supl., p.285, jul. 1989
- Conference titles: Reunião Anual da SBPC
-
ABNT
CESCHIN, A M et al. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 06 nov. 2024. , 1989 -
APA
Ceschin, A. M., Notari, A. C., Manzoli, E., Sharappe, B., & Siu Li, M. (1989). Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2024 nov. 06 ] -
Vancouver
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2024 nov. 06 ] - Laser de centro de cor sintonizavel no infravermelho proximo
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