ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m (2005)
Rudno-Rudzinski; Ryczko, K; Sek, G; Misiewicz, J; Silva, M J da; Quivy, A. A.
Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, LASER, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RUDNO-RUDZINSKI, et al. Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m. Solid State Communications, v. 135, n. 4, p. 232-236, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.030. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Rudno-Rudzinski,, Ryczko, K., Sek, G., Misiewicz, J., Silva, M. J. da, & Quivy, A. A. (2005). Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m. Solid State Communications, 135( 4), 232-236. doi:10.1016/j.ssc.2005.04.030
NLM
Rudno-Rudzinski, Ryczko K, Sek G, Misiewicz J, Silva MJ da, Quivy AA. Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 232-236.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.030
Vancouver
Rudno-Rudzinski, Ryczko K, Sek G, Misiewicz J, Silva MJ da, Quivy AA. Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 232-236.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.030
Artigo de periodico
CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots (2003)
Cruz, J M R; Sales, F V de; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Physica E. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CRUZ, J M R et al. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 107-108, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Cruz, J. M. R., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 107-108. doi:10.1016/s1386-9477(02)00721-x
NLM
Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
Vancouver
Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
Artigo de periodico
Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)
Lamas, T. E.; Martini, S; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x
NLM
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Vancouver
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Artigo de periodico
Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Physica E. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 120-121, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 120-121. doi:10.1016/s1386-9477(02)00739-7
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
Artigo de periodico
Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm (2003)
Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 631-633. doi:10.1016/s0026-2692(03)00066-1
NLM
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1
Vancouver
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1
Trabalho de evento-resumo
Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Monte, A F G; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Morais, P. C., et al. (2003). Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region (2003)
Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy (2003)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstract. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2003). Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots (2003)
Duarte, C A; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Silva, M J da; Martini, S; Leite, J. R.; Meneses, E A; Lauretto, E
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, C A et al. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 10, p. 6279-6283, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1568538. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Duarte, C. A., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Martini, S., Leite, J. R., et al. (2003). Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, 93( 10), 6279-6283. doi:10.1063/1.1568538
NLM
Duarte CA, Silva ECF da, Quivy AA, Silva MJ da, Martini S, Leite JR, Meneses EA, Lauretto E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 10): 6279-6283.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1568538
Vancouver
Duarte CA, Silva ECF da, Quivy AA, Silva MJ da, Martini S, Leite JR, Meneses EA, Lauretto E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 10): 6279-6283.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1568538
Artigo de periodico
Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction (2003)
Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, M J da; Lamas, T E; Silva, E C F da; Leite, J. R.; Abramof, E
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S et al. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1621738. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, Leite, J. R., & Abramof, E. (2003). Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics. doi:10.1063/1.1621738
NLM
Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738
Artigo de periodico
Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence (2003)
Sales, F V de; Cruz, J M R; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 705-707, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 705-707. doi:10.1016/s0026-2692(03)00107-1
NLM
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 705-707.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1
Vancouver
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 705-707.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1
Artigo de periodico
Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient (2003)
Sales, F V de; Cruz, J M R; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C de; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 3, p. 1787-1794, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1586953. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C. de, Silva, M. J. da, et al. (2003). Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, 94( 3), 1787-1794. doi:10.1063/1.1586953
NLM
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
Vancouver
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
Artigo de periodico
Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities (2003)
Monte, A F G; Sales, F V de; Silva, S W da; Soler, M A G; Cruz, J M R; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Physica E. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 122-123, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Monte, A. F. G., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Cruz, J. M. R., Morais, P. C., et al. (2003). Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E, 17( 1-4), 122-123. doi:10.1016/s1386-9477(02)00741-5
NLM
Monte AFG, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Cruz JMR, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 122-123.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5
Vancouver
Monte AFG, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Cruz JMR, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 122-123.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5
Artigo de periodico
Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix (2003)
Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T. E.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Fonte: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERCOMPUTADORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1-4, p. 181-185, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, 251( 1-4), 181-185. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 251( 1-4): 181-185.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 251( 1-4): 181-185.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20

Unidades USP

ReP

Filtros

Autores

Assuntos

Título da fonte

País de publicação

Afiliação dos autores externos não normalizada