Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0026-2692(03)00106-x
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Microelectronics Journal
- ISSN: 0026-2692
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 19 fev. 2026. -
APA
Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x -
NLM
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2026 fev. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x -
Vancouver
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2026 fev. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x - Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0026-2692(03)00106-x (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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1-s2.0-S002626920300106X-... |
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