Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction (2003)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1621738
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; DIFRAÇÃO POR RAIOS X
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics
- ISSN: 0021-8979
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MARTINI, S et al. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1621738. Acesso em: 05 jan. 2026. -
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, Leite, J. R., & Abramof, E. (2003). Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics. doi:10.1063/1.1621738 -
NLM
Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2026 jan. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738 -
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2026 jan. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738 - Spatial confinement of self-organized MBE-growth 'In IND.x''Ga IND.1-X' As quantum dots
- Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro
- Estudo da difusão de portadores em poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos sobre substratos vicinais de GaAs (001)
- Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy
- Optical characterization of GaAs/AlAs multiple quantum wells interfaces
- Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy
- Fônons de borda da zona de brillouin induzidos em espalhamento raman por defeito local
- Optically determined carrier transport in InGaAs-GaAs quantum wells
- Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence
- Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient
Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1621738 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
1.1621738.pdf | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
